[发明专利]铁磁共振测量方法在审
申请号: | 201910984442.7 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN111060854A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 圣地牙哥·山诺·古山;路克·汤马斯;真杰诺;李松 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/16 | 分类号: | G01R33/16 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 韩旭;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁共振 测量方法 | ||
1.一种铁磁共振测量方法,用于决定在一磁性薄膜中或在具有形成于一晶圆上的至少一磁性层的一多层结构中的饱和磁化量(Ms),并包括:
形成一图案于该磁性薄膜中或该多层结构中,其中该磁性薄膜中或该多层结构包括至少一第一细长(非对称)结构物及至少一第二细长结构物,该至少一第一细长结构物具有沿着一y轴方向的一第一长度(L1)和具有沿着一x轴方向的一第一宽度(W1),该至少一第二细长结构物具有沿着该x轴方向的一第二长度(L2)和沿着该y轴方向的一第二宽度(W2),该第一长度(L1)大于该第一宽度(W1)且该第二长度(L2)大于该第二宽度(W2);
当施加一微波频率到该第一细长结构物及该第二细长结构物的每一个上的一或多个位置以产生一铁磁共振状态于该一或多个位置时,施加同时平行于该第一细长结构物且横向于该第二细长结构物的一磁场(H)或同时横向于该第一细长结构物且平行于该第二细长结构物的一磁场(H),其中施加固定的一磁场于扫描微波频率的一范围时,或施加固定的一频率于扫描磁场振幅的一范围时;
由该第一细长结构物上的该一或多个位置所测量的一共振场(Hrx)及该第二细长结构物上的该一或多个位置所测量的一共振场(Hry)决定一共振场差(ΔHr),或由该第一细长结构物上的该一或多个位置所测量的一共振频率(frx)及该第二细长结构物上的该一或多个位置所测量的一共振频率(fry)决定一共振频率差(Δfr);以及
从该共振场差或该共振频率差,计算该饱和磁化量(Ms)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910984442.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。