[发明专利]全局快门成像器装置

权利要求书

1.一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包括：

光敏区域，被配置为对光信号进行积分；

端子，被配置为递送参考信号；

第一电容性存储节点，被配置为接收表示由所述光敏区域生成的电荷的数目的信号；

第二电容性存储节点，被配置为接收所述参考信号；

第一转移晶体管，被耦合以选择性地将积分的所述光信号从所述光敏区域传递到所述第一电容性存储节点；以及

第二转移晶体管，被耦合以选择性地将所述参考信号从所述端子传递到所述第二电容性存储节点；

其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管具有公共传导电极和公共衬底，并且其中所述第一电容性存储节点处的电位被施加到所述公共衬底。

2.根据权利要求1所述的成像器装置，其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管被并联耦合。

3.根据权利要求2所述的成像器装置，其中所述公共衬底通过形成所述第一电容性存储节点的电容器被反向偏置，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第一电容性存储节点，所述第二极板被耦合以接收反向偏置信号。

4.根据权利要求2所述的成像器装置，其中所述第二电容性存储节点通过电容器被反向偏置，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第二电容性存储节点，所述第二极板被耦合以接收反向偏置信号。

5.根据权利要求1所述的成像器装置，其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管被串联耦合。

6.根据权利要求5所述的成像器装置，其中所述公共衬底通过形成所述第一电容性存储节点的电容器被接地，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第一电容性存储节点，所述第二极板被耦合到地。

7.根据权利要求5所述的成像器装置，其中所述第二电容性存储节点通过电容器被接地，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第二电容性存储节点，所述第二极板被耦合到地。

8.根据权利要求1所述的成像器装置，进一步包括：

第三转移晶体管，被耦合以选择性地将积分的所述光信号从所述光敏区域传递到感测节点；以及

放大器晶体管，具有控制端子、第一传导端子和第二传导端子，所述控制端子被耦合到所述感测节点，所述第一传导端子被耦合以接收所述参考信号，所述第二传导端子被耦合到所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管的所述公共传导电极。

9.根据权利要求8所述的成像器装置，其中所述第三转移晶体管和所述放大器晶体管具有公共衬底，所述公共衬底被耦合到地。

10.一种包括像素的矩阵的成像器装置，其中每个像素包括：

光敏电路，被配置为对光信号进行积分，并且在公共节点处产生光感测电压；

参考电路，被配置为将参考电压递送至所述公共节点；

第一转移晶体管，具有在所述公共节点处的源极端子、以及在第一电容性存储节点处的漏极端子，其中所述第一转移晶体管被选择性地致动，以将在所述公共节点处的所述光感测电压转移到在所述第一电容性存储节点处的第一电容器；

第二转移晶体管，具有在所述公共节点处的源极端子、以及在第二电容性存储节点处的漏极端子，其中所述第二转移晶体管被选择性地致动，以将在所述公共节点处的所述参考电压转移到在所述第二电容性存储节点处的第二电容器；

其中所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管具有公共衬底，并且其中所述第一电容性存储节点处的电位被施加到所述公共衬底。

11.根据权利要求10所述的成像器装置，其中所述公共衬底通过形成所述第一电容性存储节点的电容器被反向偏置，所述电容器具有第一极板和第二极板，所述第一极板被耦合到所述第一电容性存储节点，所述第二极板被耦合以接收反向偏置信号。