[发明专利]离子注入装置及光束驻留装置

说明书

本发明抑制光束驻留装置中的粒子的飞散。本发明的光束驻留装置(24)具备：一对驻留电极(25a、25b)，隔着光束线路(A)而对置；及光束阻尼器，在比一对驻留电极(25a、25b)更靠光束线路(A)的下游侧在一对驻留电极(25a、25b)的对置方向上离开光束线路(A)而设置。一对驻留电极(25a、25b)中的至少一个包含在与光束线路(A)所延伸的方向及对置方向这两个方向均正交的规定方向上隔开间隔而配置的多个电极体(73a～73f)。多个电极体(73a～73f)分别从光束线路的上游侧朝向下游侧延伸。

技术领域

本申请主张基于2018年11月13日申请的日本专利申请第2018-212925号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及光束驻留装置。

背景技术

半导体制造工序中，出于改变半导体的导电性的目的、改变半导体的晶体结构的目的等，标准性地实施向半导体晶圆注入离子的步骤(也称为离子注入步骤)。离子注入步骤中，可以使用沿朝向注入对象的半导体晶圆延伸的光束线路传输离子束的离子注入装置。有时在光束线路的中途设置有用于使离子束从光束线路暂时退避以防对半导体晶圆照射离子束的光束驻留装置。光束驻留装置例如具备隔着光束线路而对置的一对驻留电极，利用施加于驻留电极之间的电场来使离子束偏转(例如，参考专利文献1)。

专利文献1：日本专利第5242937号公报

发明内容

有时在传输离子束的真空腔室内因各种因素而产生粒子，且有时在上述驻留电极的表面也附着粒子。根据发明人等的见解可知，若在驻留电极的表面附着有粒子的状态下为了离子束的退避而对驻留电极施加高电压，则在驻留电极的表面产生放电，进而能够在放电时使驻留电极表面的粒子飞散。粒子朝向光束线路飞散时，可能对向半导体晶圆进行的离子注入处理造成影响。

本发明的一方式的例示性目的之一在于，提供一种抑制光束驻留装置内的粒子的飞散的技术。

本发明的一方式的离子注入装置在朝向晶圆传输离子束的光束线路的中途具备光束驻留装置。光束驻留装置具备：一对驻留电极，隔着光束线路而对置；及光束阻尼器，相比一对驻留电极在光束线路的下游侧在一对驻留电极的对置方向上离开光束线路而设置。一对驻留电极中的至少一个包含在与光束线路所延伸的方向及对置方向这两个方向均正交的规定方向上隔开间隔而配置的多个电极体。多个电极体分别从光束线路的上游侧朝向下游侧延伸。

本发明的另一方式为配置于光束线路的中途的光束驻留装置。该装置具备：一对驻留电极，隔着光束线路而对置；及光束阻尼器，相比一对驻留电极在光束线路的下游侧在一对驻留电极的对置方向上离开光束线路而设置。一对驻留电极中的至少一个包含在与光束线路所延伸的方向及对置方向这两个方向均正交的规定方向上隔开间隔而配置的多个电极体。多个电极体分别从光束线路的上游侧朝向下游侧延伸。

另外，在方法、装置、系统等之间相互置换以上的构成要件的任意组合或本发明的构成要件和表现的内容，作为本发明的方式也有效。

发明效果

根据本发明，能够抑制光束驻留装置中的粒子的飞散。

附图说明

图1是表示实施方式的离子注入装置的概略结构的顶视图。

图2是表示图1的离子注入装置的概略结构的侧视图。

图3是详细地示出光束驻留装置的结构的侧视图。

图4是详细地示出图3的光束驻留装置的结构的主视图。

图5是表示第2驻留电极的结构的剖视图。

图6是表示第2驻留电极的结构的顶视图。

图7是示意地表示抑制粒子的附着的机制的图。