[发明专利]静电吸盘

说明书

本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够进一步抑制电弧放电的发生。具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；及第1多孔质部，设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置，其特征为，所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。

技术领域

本发明的形态涉及一种静电吸盘。

背景技术

在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作的陶瓷制的静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅晶片等的基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(He)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。

例如，在化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入He等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。

在通过He等惰性气体来对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入He等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板的穿通孔而被引导至基板的背面。

在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在气体扩散用空隙内设置有由陶瓷多孔体所构成且用于防止放电的处理气体流路用的放电防止构件。另外，在专利文献3中公开有如下静电吸盘，作为如氧化铝这样的多孔质电介体而设置电介体插入物，从而降低电弧放电。在这样的具有多孔质部的静电吸盘中，要求开发出能够进一步抑制电弧放电的发生的静电吸盘。

专利文献

专利文献1：日本国特开2010-123712号公报

专利文献2：日本国特开2003-338492号公报

专利文献3：日本国特开平10-50813号公报

发明内容

本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够有效地抑制电弧放电的发生。

第1发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；及第1多孔质部，设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置，其特征为，所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。