[发明专利]浪涌防护方法及装置、防护电路、存储介质在审

专利信息
申请号: 201910975167.2 申请日: 2019-10-14
公开(公告)号: CN112736883A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 谢长江;赵晶;周先驰;黄国强;李新 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓婷
地址: 518057 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 浪涌 防护 方法 装置 电路 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种防护电路,其特征在于,包括第一熔断单元、防护单元、单向导通单元、储能单元和储能泄放单元,其中,

所述第一熔断单元与所述单向导通单元分别连接电源的正极,所述防护单元与所述储能单元分别连接所述电源的负极,所述第一熔断单元和所述防护单元串联连接,所述单向导通单元与所述储能单元串联连接,在所述储能单元处并联储能泄放单元,所述电源与MOS管串联;其中,

在电源的输入电压为所述电源的正常电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;所述MOS管在所述正常电压下工作;

在电源的输入电压为正向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;

在电源的输入电压为负向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元导通。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一熔断单元与所述防护单元导通和所述单向导通单元与所述储能单元不导通,以使所述正向浪涌电压箝位到指定电压下,其中,所述MOS管在所述指定电压下工作。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元导通;以使所述储能单元获取所述负向浪涌电压的部分或全部电压。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述储能泄放单元,还用于在预定时间后,将所述储能单元中的所述负向浪涌电压的部分或全部电压泄放。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电路,其特征在于,所述防护电路还包括:第二熔断单元,分别与所述电源的负极,所述防护单元,所述储能单元连接,用于在以下任一单元出现异常时,断开所述第二熔断单元:所述单向导通单元,所述储能单元,所述储能泄放单元。

6.一种浪涌防护方法,其特征在于,应用于权利要求1至5任一项所述的防护电路,所述方法包括:

在电源输入所述防护电路的电压为所述电源的正常电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;所述MOS管在所述正常电压下工作;

在电源输入所述防护电路的电压为正向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;

在电源输入所述防护电路的电压为负向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元导通。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述第一熔断单元与所述防护单元导通和所述单向导通单元与所述储能单元不导通的情况下,将所述正向浪涌电压箝位到指定电压下,其中,所述MOS管在所述指定电压下工作。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述第一熔断单元与所述防护单元不导通和所述单向导通单元与所述储能单元导通的情况下,通过所述储能单元获取所述负向浪涌电压的部分或全部电压,在预定时间后,通过所述储能泄放单元将所述负向浪涌电压的部分或全部电压泄放,以使所述MOS管正常工作。

9.一种浪涌防护装置,其特征在于,应用于权利要求1至5任一项所述的防护电路,所述装置包括:

第一处理模块,用于在电源输入所述防护电路的电压为所述电源的正常电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;所述MOS管在所述正常电压下工作;

第二处理模块,用于在电源输入所述防护电路的电压为正向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元导通;所述单向导通单元与所述储能单元不导通;

第三处理模块,用于在电源输入所述防护电路的电压为负向浪涌电压的情况下,所述第一熔断单元与所述防护单元不导通;所述单向导通单元与所述储能单元导通。

10.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,其中,所述计算机程序被设置为运行时执行所述权利要求6至8任一项中所述的方法。

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