[发明专利]一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法有效
| 申请号: | 201910968059.2 | 申请日: | 2019-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN110527971B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
| 发明(设计)人: | 李晓;刘成;胡晓君;陈成克;蒋梅燕 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C23C16/27 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周红芳 |
| 地址: | 310006 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cr si 过渡 不锈钢 表面 制备 金刚石 薄膜 方法 | ||
本发明公开了一种以Cr/Cr‑Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法,它包括以下步骤:1)不锈钢样品前处理:对不锈钢样品进行砂纸打磨,用丙酮进行超声处理,烘干备用;2)不锈钢表面沉积Cr/Cr‑Si薄膜:将步骤1)中的不锈钢样品装入磁控溅射设备的样品台中,将Cr、Si靶材安装到靶座上,在不锈钢基底表面沉积Cr膜及Cr‑Si薄膜,得到含Cr/Cr‑Si过渡层的不锈钢样品;3)在不锈钢表面沉积金刚石薄膜:将步骤2)中得到的含Cr/Cr‑Si过渡层的不锈钢样品进行超声种晶,利用热丝CVD进行沉积金刚石薄膜,实现在含Cr/Cr‑Si为过渡层的不锈钢表面上制备金刚石薄膜。本发明通过采用上述技术,使金刚石膜与不锈钢之间结合力高,在洛氏硬度计150 kg载荷作用下薄膜未发生脱落。
技术领域
本发明属于金属石薄膜制备技术领域,涉及了一种在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法,具体涉及一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法。
背景技术
金刚石薄膜具有高硬度、高热导率和良好生物相容性等优异性能。在不锈钢上生长金刚石薄膜,可以提高其硬度、耐磨性、耐腐蚀性和生物相溶性等性能,在食品、医疗器械等行业中存在巨大的应用前景。然而,在不锈钢上直接沉积金刚石薄膜存在三个问题。(1)不锈钢和金刚石之间的热膨胀系数(CTE)差异大,导致在CVD降温过程中产生大的热应力而使薄膜从基体上脱落。(2)由于碳在不锈钢中的扩散速率大且溶解度高,很难在不锈钢上达到碳饱和,形成连续的金刚石薄膜。(3)不锈钢中铁或镍元素的催化作用使石墨相优先形成,导致金刚石薄膜的粘附性差。
通常在不锈钢与金刚石之间引入过渡层来解决这些问题。到目前为止,已研究了多种过渡层,例如Cr、Ti、Pt、Al、CrN和CrN/Al等。在这些过渡层中,Cr过渡层由于具有较低的热膨胀系数和易于形成碳化物,表现出较好的结合力,得到了深入地研究。但是采用Cr过渡层在钢基底上沉积的金刚石膜仍存在结合力不足、容易脱落等问题。在Cr中添加Si元素,将形成Cr(Si)固溶体和铬硅化合物,有可能改变Fe、C互扩散能力,生长出结合力优异的金刚石薄膜。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,本发明的目的在于提供一种在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法,具体涉及一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法,所得的金刚石薄膜结合力优异。
所述的一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)不锈钢样品前处理:对不锈钢样品进行砂纸打磨,用丙酮进行超声处理,烘干备用;
2)不锈钢表面沉积Cr/Cr-Si薄膜:将步骤1)中的不锈钢样品装入磁控溅射设备的样品台中,将Cr、Si靶材安装到靶座上,在不锈钢基底表面沉积Cr膜及Cr-Si薄膜,得到含Cr/Cr-Si过渡层的不锈钢样品;
3)在不锈钢表面沉积金刚石薄膜:将步骤2)中得到的含Cr/Cr-Si过渡层的不锈钢样品进行超声种晶,利用热丝CVD进行沉积金刚石薄膜,实现在含Cr/Cr-Si为过渡层的不锈钢表面上制备金刚石薄膜。
所述一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜,其特征在于步骤2)中不锈钢表面沉积Cr/Cr-Si薄膜的具体过程如下:将步骤1)处理后的不锈钢样品装入磁控溅射仪的样品台上,将Cr、Si靶材安装到靶座上,关闭真空室,抽真空至气压低于3.0×10-3Pa,打开基片加热电源,通入氩气,通过控制闸板阀至气压为2-5 Pa,打开Cr靶挡板、靶电源,启辉,降低工作气压至0.2-1 Pa, 沉积Cr膜,Cr膜沉积结束后,打开Si靶挡板和靶电源,沉积Cr-Si薄膜,沉积完成后,关闭电源、氩气,放气后,取出得到含Cr/Cr-Si过渡层的不锈钢样品。
所述一种以Cr/Cr-Si为过渡层在不锈钢表面制备金刚石薄膜,其特征在于Cr膜沉积时间为10-40 min,Cr层的厚度为0.1-0.4 µm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学,未经浙江工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910968059.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





