[发明专利]一种双面出光的串联式量子点器件在审
| 申请号： | 201910959518.0 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110808338A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 熊志勇;崔忠杰;杨波波;解凤贤;张万路;郭睿倩;张国旗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;F21K9/20;F21Y115/15 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 串联式 量子 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面出光的串联式量子点器件，其特征在于，其包括上面的顶发射OLED器件以及下面的底发射QLED器件，顶发射OLED器件和底发射QLED器件相互串联；其中金属反射电极既是QLED器件的阴极，同时是OLED器件的阳极。
2.根据权利要求1所述的串联式量子点器件，其特征在于，金属反射电极的厚度在40nm~150nm之间。
3.根据权利要求1所述的串联式量子点器件，其特征在于，顶发射OLED器件的阴极为半透阴极。
4.根据权利要求1所述的串联式量子点器件，其特征在于，通过直接连接电池或者外加电源的方式实现OLED器件和QLED器件的串联。
5.根据权利要求4所述的串联式量子点器件，其特征在于，串联电路中，顶发射OLED器件的阴极电势＜金属反射电极电势＜底发射QLED器件的阳极电势。
6.根据权利要求1所述的串联式量子点器件，其特征在于，顶发射OLED器件阴极、顶发射OLED的器件阳极、底发射QLED器件的阳极分别连接TFT阵列驱动背板，形成主动阵列式驱动的照明装置或显示装置。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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