[发明专利]TSOP叠层芯片内部检测方法有效

专利信息
申请号: 201910942452.4 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN111007149B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 马清桃;李先亚;王伯淳;袁云华;田健;王瑞崧;陆洋;杨帆 申请(专利权)人: 湖北航天技术研究院计量测试技术研究所
主分类号: G01N29/06 分类号: G01N29/06;G01N29/04
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 徐祥生
地址: 432000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: tsop 芯片 内部 检测 方法
【权利要求书】:

1.TSOP叠层芯片内部检测方法,包括以下步骤:

S1.检测前的准备

S1.1.向超声扫描显微镜的样品槽中注入去离子水,去离子水的高度超过样品台1cm~3cm;

S1.2.依次打开超声扫描显微镜和电脑控制系统电源,点击电脑上的应用软件,进入用户界面,选择反射和透射双通道工作模式;

S1.3.点击运行自校准程序,自校准程序运行完毕后,系统自动进入操作控制界面;

S2.透射传感器信号对焦校正

S2.1.选择频率大于30MHz的透射传感器,通过传感器支架和夹具将透射传感器安装于样品台下面,并连接透射传感器与channel2;

S2.2.在channel1卡口上装上30MHz~230MHz的反射传感器,并连接反射传感器与channel1;

S2.3.启动channel1,通过控制按钮将反射传感器移动到样品台正上方,调整Z轴,使样品台反射信号移动至信号窗口16000ns~16900ns处;

S2.4.移动反射传感器,使其离开样品台,启动channel2,点击root Gate,将红色门限在信号窗口前后拉至最长;

S2.5.调整透射传感器螺旋杆,使红色门限内透射信号移动至信号窗口21400ns~25400ns处;

S2.6.将透射Gain值调至-5db~10db,旋转反射传感器左右移动装置旋钮,将透射信号能量调至最大状态;

S3.获取被测样品的表面波

S3.1.将被测样品水平放至样品台,点击channel1,移动X轴和Y轴控制按钮,目测使反射传感器位于被测样品的正上方;

S3.2.点击Z轴控制按钮,使反射传感器慢慢入水,并观察信号窗口,直至信号窗口有被测样品表面波出现为止;

S3.3.点击SurfaceTrigger,然后通过点击鼠标左右键,调整信号窗口蓝线与表面波相交;

S3.4.点击Gate,然后通过点击鼠标左右键,调整信号窗口红色门限将表面波前后包含;

S3.5.调节Z轴高度,所述Z轴高度、表面波蓝线与Gain值配合进行调节,Gain值保持在60%-70%处,表面波蓝线始终保证与表面波相交,使反射传感器继续往下进行聚焦,直至信号窗口的表面波峰值最大时为止,此时的聚焦点为反射传感器在被测样品表面的最佳聚焦点,所对应的波形为被测样品的表面波;

S4.获取被测样品的模拟结构

S4.1.将速度调整至5,双击Z轴控制按钮,让反射传感器往下走两步,并将Gain值调整至19db~21db;

S4.2.在root处点击鼠标右键,然后点击AddXgate,调出逐层扫描设置菜单;

S4.3.点击XGate1,设置XGate1相关参数,start=0,Length=500~1200,SliceLength=5~20;

S4.4.点击C-Scan进行扫描;

S4.5.扫描完成后,得到从XGate1至XGateN总共N张图片和与之一一对应的N段信号波形,其中N=Length/SliceLength,图片显示在显示窗口,信号波形显示在A扫描信号窗口,点击菜单同时保存图片和信号波形;

S5.寻找第一层信号并精确扫描

S5.1.展开root里面XGate1至XGateN,首先找到第一层芯片最先出现的图,记为XGateA,点击XGateA,记住此时右边对应的start数值为a,然后确定N张图中第一层芯片与模塑化合物结合层图片的张数,记为b,接下来再点击gate,将gate的start数值设置为a,gate的Length值设置为b×10,此时红色门限所对应信号即为第一层芯片与模塑化合物结合层信号;

S5.2.信号找到后,从b张图片里,选取一张比较清晰的图片,将反射传感器移动至芯片处,调节Z轴高度进行聚焦,所述Z轴高度、表面波蓝线与Gain值配合进行调节,Gain值保持在60%-70%处,表面波蓝线始终保证与表面波相交,当信号强度最大时即是反射传感器在第一层芯片处的最佳聚焦点;

S5.3.将鼠标移至已聚焦的反射图片的正常位置,然后点击Channel2,旋转透射传感器螺旋杆,使透射窗口信号至最大;

S5.4.点击C-Scan,完成扫描,此时显示的图片即为第一层芯片与模塑化合物结合层图片,反射图片记为G1,透射图片记为F1,与反射图片对应的信号波形记为X1,点击菜单同时保存G1、F1和X1;

S6.寻找其它各层信号并精确扫描

S6.1.重复步骤S5,找到第一层与第二层芯片之间的联结层信号并精确扫描,反射图片记为G2,对应的信号波形记为X2,透射图片仍与F1相同,点击菜单同时保存G2和X2;

S6.2.重复步骤S5,找到第二层与第三层芯片之间的联结层信号并精确扫描,反射图片记为G3,对应的信号波形记为X3,透射图片仍与F1相同,点击菜单同时保存G3和X3;

S6.3.重复步骤S5,找到第三层与第四层芯片之间的联结层信号并精确扫描,反射图片记为G4,对应的信号波形记为X4,透射图片仍与F1相同,点击菜单同时保存G4和X4;

S6.4.将被测样品翻面重新固定在样品台上,调整Z轴使反射传感器重新聚焦在被测样品背面引线框架与模塑化合物之间的界面上,获得最底层芯片与模塑化合物粘接层的信号并精确扫描,得到的反射图片记为G5,透射图片记为F2,与反射图片对应的信号波形记为X5,点击菜单同时保存G5、F2和X5;

S7.分析判断是否存在缺陷

S7.1.打开应用软件的信号处理窗口,将正向阈值设置为90%,反向阈值设置为60%,信号极限选择设置为negative,信号选择设置为peak,同时选择色彩输出设定对C扫描图片进行着色,将图片灰度分布通过不同的颜色输出出来,典型不合格位置用红色显示;

S7.2.点击显示窗口G1,查看G1图片和对应的信号波形X1,若图片中没有出现红色且信号波形与第一典型波形相似,即门限内峰值信号在达到负向阈值之前没有达到正向阈值,则判断第一层芯片与模塑化合物界面没有分层、破损或裂纹缺陷,该界面合格,反之,若图片中出现红色且信号波形与第二典型波形相似,即门限内峰值信号在达到负向阈值之前达到了正向阈值,则判断第一层芯片与模塑化合物界面存在分层、破损或裂纹缺陷,该界面不合格;

S7.3.依次点击显示窗口G2~G5,查看G2~G5图片和对应的信号波形X1~X5,重复步骤S7.2,依次判断其它各层之间以及被测样品背面引线框架与模塑化合物之间的界面是否存在分层、破损或裂纹缺陷;

S7.4.点击channel2,在显示窗口查看透射图片F1和F2,若图片上没有异常灰度变化,则被测样品不存在明显的分层或裂纹缺陷;若图片上有异常灰度变化,则结合反射图片的具体位置进一步分析判断。

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