[发明专利]发光器件和显示装置在审
申请号: | 201910935140.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110649172A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 焦志强;柳在一 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光器件 发光层 阻挡层 缓冲 预设 电子注入层 金属原子 金属原子扩散 阴极 阻挡 电子传输层 电子阻挡层 空穴传输层 空穴注入层 电荷传输 发光效率 界面特性 隧穿效应 显示装置 依次设置 电荷 阳极 锂原子 基板 猝灭 申请 穿过 扩散 | ||
本申请提供了一种发光器件和显示装置。该发光器件包括:依次设置的基板、阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、电子注入层以及阴极。发光器件还包括:第一缓冲阻挡层,设置在第一发光层和电子注入层之间,用于阻挡预设金属原子扩散至发光器件中的第一发光层。本申请中第一缓冲阻挡层可以用于阻挡预设金属原子(例如,锂原子)扩散至发光器件中的第一发光层、以及第一发光层与其它层之间的界面,大大降低预设金属原子形成猝灭中心以及影响界面特性的几率,而且电荷可以通过隧穿效应穿过第一缓冲阻挡层,在不影响发光器件的电荷传输的同时,可提升发光器件的发光效率和寿命。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体为一种发光器件和显示装置。
背景技术
随着科学技术的进步,液晶显示器因为其体积小以及重量轻的优点,已经逐渐取代传统的体积较为庞大的阴极射线显示器,已被广泛地应用于显示器、笔记本电脑、平板电视、数码相机等电子产品。
传统的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置由于具有自发光功能、无需背光模组、对比度以及清晰度高等一系列优异特性,已经成为新一代平面显示装置的重点发展方向之一,因此日益受到越来越多的关注。尽管OLED制造技术已经较为成熟,但是,OLED中发光器件的性能仍然是制约其走向大规模应用和提高竞争力的一个关键问题。
具体而言,影响OLED中的发光器件发光效率的因素通常有:发光器件中存在淬灭中心导致激子不发光比例增加等。因此,如何能让OLED发光材料在器件中发挥出其最大的性能有待于进一步开发。
影响OLED中的发光器件寿命的因素主要有:器件中两种材料之间形成的界面不稳定,有机电致发光器件通常包含氧化铟锡(ITO)透明导电阳极/发光层;发光层/发光层;发光层/金属三种界面,发光器件在工作时引起的任何一个界面的特性变化及失效都会影响器件的寿命,高活性金属原子扩散至发光层中,形成发光中心淬灭,导致器件寿命快速衰减。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种发光器件和显示装置,解决现有技术中由于活泼金属原子扩散至发光层、或发光层与其它层之间的界面中,形成猝灭中心或影响界面特性,容易导致发光器件发光效率或寿命低下的技术问题。
为了解决上述问题,本申请实施例主要提供如下技术方案:
在第一方面中,本申请实施例公开了一种发光器件,包括:依次设置的基板、阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、电子注入层以及阴极;
发光器件还包括:第一缓冲阻挡层,设置在所述第一发光层和所述电子注入层之间,用于阻挡预设金属原子扩散至所述发光器件中的第一发光层。
可选地,所述第一发光层为第一颜色发光层、第二颜色发光层或第三颜色发光层中的至少一种。
可选地,在所述第一电子传输层和所述第一缓冲阻挡层之间设置有N型电荷生成层,以及所述第一缓冲阻挡层与所述电子注入层之间依次设置有P型电荷生成层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层和第二电子传输层。
可选地,所述发光器件还包括:在所述第一缓冲阻挡层和所述电子注入层之间依次设置有N型电荷生成层、P型电荷生成层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层和第二电子传输层。
可选地,所述发光器件还包括:第二缓冲阻挡层,设置在所述N型电荷生成层和所述P型电荷生成层之间。
可选地,若所述第一缓冲阻挡层和所述第二缓冲阻挡层的材料都为所述无机材料,所述无机材料为三氧化钼,氧化锆、氧化锶、氟化锂、氯化钠、氯化钾中的一种。
可选地,所述第一缓冲阻挡层和所述第二缓冲阻挡层的厚度为0.1纳米~20纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910935140.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择