[发明专利]半导体激光器温控装置、温控系统及其控制方法

权利要求书

1.半导体激光器温控装置，其特征在于：包括具有开口槽的散热片、设于散热片背部的半导体制冷片、设于半导体制冷片表面的绝缘片、以及用于扩散水汽流动散向开口槽外侧的风扇。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器温控装置，其特征在于：所述散热片包括U型本体、设于U型本体内的若干等距间隔设置的散热翅片。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器温控装置，其特征在于：若干所述散热翅片的端部与U型本体的开口槽端部齐平，所述散热翅片竖直设于开口槽内，散热翅片的两侧与外界连通。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器温控装置，其特征在于：所述散热片的底部设有风扇，风扇的外周与开口槽的槽口相对应设置，风扇内吹入蒸发水汽上升至开口槽内，并向开口槽的两侧扩散。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器温控装置，其特征在于：所述半导体制冷片与绝缘片之间夹持设有陶瓷片，陶瓷片与半导体制冷片相对应贴合设置。

6.半导体激光器温控系统，其特征在于：包括PID控制逻辑模块、连接并反馈信息至PID控制逻辑模块的激光平均电流模块、激光转换效率模块和温度感测模块、PID控制逻辑模块控制连接半导体制冷片，半导体制冷片制冷作用于激光转换效率模块和温度感测模块所在的部件位置。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器温控系统，其特征在于：所述温度感测模块用于感应基板温度。

8.半导体激光器温控系统的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，设定激光扫描功率和基板温度的预校正表格；

S2，开启激光高温扫描，关闭半导体散热片，基板温度逐渐升高；

S3，开启半导体散热片，从平均小电流逐渐开到全开，观测转换功率的变化，转换功率上升至极大后，下落；

S4，记录极大值电流、基板温度、转换功率；

S5，根据当前平均功率，对照校预正表格，设定目标的基板温度；

S6，启动PID控制逻辑模块，控制半导体散热片作业。