[发明专利]图案化衬底的方法

说明书

一种图案化衬底的方法，包括：将衬底放置在光刻系统的载物台上；测量在所述衬底上的第一位置处所述衬底的第一高度；测量在所述衬底上的第二位置处所述衬底的第二高度；以及对所述衬底执行光刻图案化工艺，包括：将图案化辐射束指向所述衬底；横向移动所述载物台以使所述衬底的所述第一位置与所述图案化辐射束对准；垂直移动所述载物台到第一垂直位置，所述第一垂直位置是基于所述第一高度；横向移动所述载物台以使所述衬底的所述第二位置与所述图案化辐射束对准；以及垂直移动所述载物台到第二垂直位置，所述第二垂直位置是基于所述第二高度。

技术领域

本申请是有关于一种图案化衬底的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经历快速增长。IC材料及设计中的技术进步已生产出几代IC，其中每一代IC均比前一代具有更小且更复杂的电路。在IC的演进过程中，一般来说功能密度(即，每芯片区中互连器件的数目)已增大，同时几何结构大小(即，可利用制作工艺而形成的最小组件(或线))已减小。

这种按比例缩减工艺一般来说通过提高生产效率且降低相关成本来提供效益。这种按比例缩减也已增大了加工及制造IC的复杂性，且针对这些欲实现的进步，需要在IC加工及制造中进行相似的发展。例如，对执行更高分辨率光刻工艺的需要增长。正在探索的一些下一代光刻技术包括极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻、深紫外(deepultraviolet，DUV)光刻、X射线光刻、软X射线(soft X-ray，SX)光刻、离子束投影光刻(ionbeam projection lithography)、电子束投影光刻(electron-beam projectionlithography)及类似技术。

发明内容

一种图案化衬底的方法包括：将衬底放置在光刻系统的载物台上；测量在所述衬底上的第一位置处所述衬底的第一高度；测量在所述衬底上的第二位置处所述衬底的第二高度；以及对所述衬底执行光刻图案化工艺，包括：将图案化辐射束指向所述衬底；横向移动所述载物台以使所述衬底的所述第一位置与所述图案化辐射束对准；垂直移动所述载物台到第一垂直位置，所述第一垂直位置是基于所述第一高度；横向移动所述载物台以使所述衬底的所述第二位置与所述图案化辐射束对准；以及垂直移动所述载物台到第二垂直位置，所述第二垂直位置是基于所述第二高度。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的光刻系统的示意图。

图2示出根据一些实施例的扫描光刻工艺(scanning lithography process)的部分。

图3示出根据一些实施例的具有高度区(height zone)的衬底。

图4A至图4D示出根据一些实施例的光刻扫描工艺(lithography scanningprocess)。

图5示出根据一些实施例的光刻工艺的工艺流程。

图6A至图6B示出根据一些实施例的衬底的高度图(height map)及对应的高度分布曲线(height profile)。

图7示出根据一些实施例的光刻工艺的工艺流程。

图8示出根据一些实施例的光刻工艺的曝光遮蔽件(exposure shield)。

图9示出根据一些实施例的处理系统的方块图。

[附图标号说明]

100：光刻系统；

102：载物台；