[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括保持部、输送部、调节部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持基片。输送部沿输送方向输送保持部。调节部调节保持部的倾斜度。涂敷部对基片涂敷处理液。控制部用调节部控制涂敷部的正下方的保持部的倾斜度。本发明能够均匀地形成涂敷膜。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一边利用气体的压力使基片上浮进行输送，一边在基片形成涂敷膜的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5570464号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种均匀地形成的涂敷膜的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括保持部、输送部、调节部、涂敷部和控制部。保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持基片。输送部沿输送方向输送保持部。调节部调节保持部的倾斜度。涂敷部对基片涂敷处理液。控制部用调节部控制涂敷部的正下方的保持部的倾斜度。

发明效果

依照本发明，能够均匀地形成的涂敷膜。

附图说明

图1是实施方式的基片处理装置的一部分的概略俯视图。

图2是表示实施方式的基片处理装置的输送部的概略侧视图。

图3是图1的III-III截面的概略图。

图4是表示实施方式的控制装置的构成的框图。

图5是说明实施方式的高度调节处理的流程图。

图6是说明实施方式的第二涂敷部中的基片处理的流程图。

图7是表示实施方式和比较例的第二涂敷部的正下方的基片的高度的一例的图。

图8是表示变形例的基片处理装置的一部分的俯视图。

附图标记说明

1 基片处理装置

2 涂敷部

2A 第一涂敷部(规定涂敷部)

2B 第二涂敷部(另一涂敷部)

4 保持部

5 输送部

6 调节部

7 垫高度调节部

8 检测传感器

9 控制装置

41 吸附垫

61 升降致动器

92 控制部

93 存储部。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。

在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，给出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向且以Z轴正方向为铅垂向上的直角坐标系。