[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

保持部，其具有吸附基片的下表面的多个吸附垫，用于保持所述基片；

沿输送方向输送所述保持部的输送部；

调节所述保持部的倾斜度的调节部；

对所述基片涂敷处理液的涂敷部；和

控制部，其用所述调节部控制所述涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括多个垫高度调节部，其分别能够调节所述多个吸附垫的高度，以使得规定涂敷部的正下方的所述基片的高度在规定范围内，

在由所述多个垫高度调节部调节了所述多个吸附垫的高度的状态下，所述控制部用所述调节部控制与所述规定涂敷部不同的另一涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部用所述调节部控制所述规定涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括检测所述涂敷部的正下方的所述基片的高度的检测传感器，

所述控制部基于由所述检测传感器检测出的、存储于存储部的所述基片的高度，用所述调节部控制所述保持部的倾斜度。

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括检测所述涂敷部的正下方的所述基片的高度的检测传感器，

所述控制部用所述检测传感器检测所述基片的高度，并且基于检测出的所述基片的高度用所述调节部控制所述保持部的倾斜度。

6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

由保持部保持所述基片的步骤，其中所述保持部具有吸附基片的下表面的多个吸附垫；

沿输送方向输送所述保持部的步骤；

由涂敷部对所述基片涂敷处理液的步骤；和

调节所述涂敷部的正下方的所述保持部的倾斜度的步骤。