[发明专利]用于抑制干扰辐射的装置

说明书

本申请的实施例涉及一种用于抑制干扰辐射的装置。一种装置，包括MEMS传感器模块和导电笼结构。导电笼结构可以包围MEMS传感器模块以抑制具有干扰波长λ₀的电磁干扰辐射侵入导电笼结构，并且导电笼结构可以与MEMS传感器模块热隔离地设置。此外，该装置可以包括至少一条连接线。至少一条连接线可以连接到MEMS传感器模块，并且借助于电容元件引导穿过导电笼结构。

技术领域

实施例涉及用于抑制干扰辐射的装置。

背景技术

根据现有技术，应用集中了R/RC/RCL(R＝电阻元件、C＝电容元件、L＝电感元件)的元件滤波器用于部分RF(射频/高频)屏蔽和额外的RFI(电磁干涉)抑制。

根据现有技术先前使用的屏蔽结构仅具有非常不充足的屏蔽效果，在MEMS传感器、例如MEMS声变换器或MEMS麦克风总是愈加敏感的情况下，该屏蔽效果不再足以提供实际可用的SNR(信噪比)。

鉴于此，需要一种理念，其在减小电干扰和减少对于MEMS传感器的电磁/热干涉之间提供更好的折衷。

发明内容

该目的通过以下内容实现。

改进方案在后续内容中被定义。

一个实施例涉及一种包括MEMS传感器模块和导电笼结构的装置。导电笼结构可以包围MEMS传感器模块，以抑制具有干扰波长λ₀的电磁干扰辐射侵入导电笼结构。导电笼结构可以与MEMS传感器模块热隔离地设置。此外，该装置可以具有至少一条连接线。至少一条连接线可以连接到MEMS传感器模块，并且借助于电容元件引导穿过导电笼结构。

MEMS传感器模块可以被理解为MEMS声变换器模块(例如MEMS麦克风)、MEMS气体传感器模块、MEMS压力传感器模块、MEMS温度传感器模块、MEMS加速度传感器模块等。在此列举的可能的MEMS传感器模块应被认为是示例性的而非决定性的。

该装置的实施例是基于以下认知，即，由导电笼结构和可以集成到导电笼结构中的一个(或多个)电容元件的共同作用，可以至少部分地屏蔽MEMS传感器模块免受具有干扰波长λ₀的电磁干扰辐射。由此，至少一条连接线将该MEMS传感器模块例如与导电笼结构外部的设备、电源等连接，该至少一条连接线借助于电容元件引导穿过导电笼结构，例如可以耦合到该至少一条连接线中的电磁干扰辐射可以借助于电容元件被装置的MEMS传感器模块屏蔽。此外，利用该装置可以使得例如通过导电笼结构(其可以如法拉第笼那样起作用)来抑制电磁干扰辐射。在此，可以防止例如由外部高频场(RF场)引起的电磁干扰辐射侵入到用于MEMS传感器模块的导电笼结构中，并且抑制从MEMS传感器模块发出的干扰辐射，以避免干扰辐射逸出。因此，该装置可以设计为抑制耦合到连接线中的电磁干扰辐射和RF干扰辐射，该干扰辐射在笼结构外部或在传感器模块中产生。

法拉第笼可以如下地起作用，即在外部静电场或准静电场的情况下，内部体积由于感应而保持为无场的。在诸如电磁波的时间上可变的过程中，屏蔽效应基于在导电壳中形成并抵消外部电磁场的涡电流。静态或缓慢变化的磁场(例如地球的磁场)不受法拉第笼的屏蔽。

这可以通过具有高磁导率的材料(例如μ金属)来实现。

此外，导电笼结构可以与MEMS传感器模块热隔离地设置。由此，例如MEMS传感器模块可以至少部分地屏蔽电磁/热干涉。

因此，应该坚持的是，该装置能够利用例如导电笼结构和/或电容元件减小电干涉，诸如具有干扰波长λ₀的电磁干扰辐射，并能够同样例如利用导电笼结构减小电磁/热干涉。因此，可以屏蔽装置的MEMS传感器模块免受电干涉和/或电磁/热干涉。

附图说明