[发明专利]用于抑制干扰辐射的装置

权利要求书

1.一种用于抑制干扰辐射的装置(100)，包括

MEMS传感器模块(110)；

导电笼结构(120)，其中所述导电笼结构(120)包围所述MEMS传感器模块(110)，以抑制具有干扰波长λ₀的电磁干扰辐射侵入所述导电笼结构(120)，并且其中所述导电笼结构(120)与所述MEMS传感器模块(110)热隔离地设置；和

至少一条连接线(130、130₁-130₇)，其中所述至少一条连接线(130、130₁-130₇)连接到所述MEMS传感器模块(110)，并借助于电容元件(140、140₁-140₇)引导穿过所述导电笼结构(120)，

其中所述导电笼结构(120)与所述MEMS传感器模块(110)间隔开，并且在所述导电笼结构(120)和所述MEMS传感器模块(110)之间的间隙(122)中至少局部地布置有隔热介质，所述隔热介质为以下至少一项：陶瓷、热塑性塑料、油、玻璃。

2.根据权利要求1所述的装置(100)，其中，所述MEMS传感器模块(110)具有壳体(160)，所述壳体带有至所述MEMS传感器模块(110)的内部体积的进入开口(162)，并且其中所述导电笼结构(120)至少邻近所述MEMS传感器模块(110)的所述进入开口(162)具有导电网眼结构(124)。

3.根据权利要求2所述的装置(100)，其中，所述导电网眼结构(124)完全包围所述MEMS传感器模块(110)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置(100)，其中，所述MEMS传感器模块(110)具有壳体(160)，该壳体带有至所述MEMS传感器模块(110)的内部体积的进入开口(162)，并且其中所述导电笼结构(120)至少局部地具有连续金属层。

5.根据权利要求4所述的装置(100)，其中，所述连续金属层具有导电网眼结构(124)或具有邻近所述MEMS传感器模块(110)的所述进入开口(162)的开口。

6.根据权利要求5所述的装置(100)，其中，所述连续金属层完全包围所述MEMS传感器模块(110)，除了所述导电网眼结构(124)或所述开口。

7.根据权利要求2所述的装置(100)，其中，所述导电网眼结构(124)是流体可穿透的并且具有栅格间距g(128)，所述栅格间距g至多是要抑制的所述干扰辐射的所述干扰波长λ₀的1/100，并且至多是所述MEMS传感器模块(110)的所述壳体(160)的最小边长K(112)的1/10(g≤1/100λ₀，g≤1/10K)。

8.根据权利要求7所述的装置(100)，其中，所述栅格间距g(128)至多是要抑制的所述干扰辐射的所述干扰波长λ₀的1/200、1/500、1/800或1/1000。

9.根据权利要求5所述的装置(100)，其中，所述开口是流体可穿透的，并且所述开口的直径至多是要抑制的所述干扰辐射的所述干扰波长λ₀的1/100。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的装置(100)，其中，所述电容元件(140、140₁-140₇)具有至少一个电容其中电抗X_C≤1且ω₀是所述电磁干扰辐射的角频率。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的装置(100)，其中，所述电容元件(140、140₁-140₇)是同轴穿心电容器(140、140₁-140₇)。