[发明专利]超低压低功耗永久性OTP存储器在审
| 申请号： | 201910881739.0 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110827909A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠;毛军华 | 申请（专利权）人： | 四川凯路威科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压低 功耗 永久性 otp 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.超低压低功耗永久性OTP存储器，包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容，选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点，选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接，检测MOS管的第一工作端连接第二位线，作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间，其特征在于，所述电容为本征MOS管的栅电容。
2.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器，其特征在于，还包括一个开关管，所述开关管的一个工作端连接检测MOS管，另一个工作端连接第二位线。
3.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器，其特征在于，所述本征MOS管的栅极接参考点，源极和漏极接第一字线。
4.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器，其特征在于，所述本征MOS管的栅极接参考点，源极或漏极接第一字线。
5.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器，其特征在于，所述本征MOS管的栅极接第一字线，源极和漏极接参考点。
6.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器，其特征在于，所述本征MOS管的栅极接第一字线，源极或漏极接参考点。
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