[发明专利]一种气敏材料与气体传感器及其制备方法有效
申请号: | 201910876682.5 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110455875B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 周泳;任浩;郭永彩 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 周玉玲 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 材料 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种气体传感器,包括叉指电极,其特征在于:所述叉指电极表面沉积有气敏材料,从而在叉指电极上形成苄基紫精掺杂黑磷的气敏薄膜;
所述气敏材料包括用作一次沉积的黑磷水溶液与用作二次沉积的苄基紫精溶液;所述黑磷水溶液的浓度为1mg/ml,所述苄基紫精溶液的浓度为1-10mg/ml;
所述气敏薄膜具有以下性质:黑磷部分覆盖叉指电极,部分苄基紫精连接黑磷与叉指电极,形成将苄基紫精的电子转移给黑磷的回路;并且,部分苄基紫精覆盖在黑磷表面的部分高能吸附位上。
2.一种如权利要求1所述的气体传感器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:将黑磷水溶液沉积在叉指电极表面,并进行干燥,以去除残留溶剂,得到表面覆盖有黑磷薄膜的气体传感器;
步骤2:在步骤1制备得到的气体传感器表面沉积苄基紫精溶液,并进行干燥,从而使得苄基紫精与黑磷掺杂,随着苄基紫精的掺杂,黑磷由P型半导体过渡到P-N型半导体,并且苄基紫精覆盖黑磷的部分高能吸附位,最后得到苄基紫精掺杂黑磷的气体传感器。
3.根据权利要求2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于:采用真空烘箱进行烘干。
4.根据权利要求2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于:采用喷涂或冷冻干燥的方式将黑磷水溶液沉积在叉指电极表面。
5.根据权利要求2所述的气体传感器的制备方法,其特征在于:采用旋涂的方式将苄基紫精沉积在叉指电极表面。
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