[发明专利]一种高效的EEPROM芯片自测试方法在审
| 申请号: | 201910863161.6 | 申请日: | 2019-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN110517721A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 孙晓霞;张建伟 | 申请(专利权)人: | 上海明矽微电子有限公司;张建伟 |
| 主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 上位机 发送 数字逻辑电路 返回数据 生产测试 次命令 读请求 自测试 耗时 | ||
本发明提出一种高效的EEPROM芯片自测试方法。上位机只需发送一次命令请求,数字逻辑电路按照需求,自主发送写和读请求至EEPROM,上位机等待一定时间后,如果收到正确的返回数据,则认为此EEPROM测试完成。该发明解决生产测试耗时长、命令复杂等问题。
技术领域
本发明属于集成电路芯片设计领域,具体来说属于可擦除编程存储器(EEPROM)领域。
背景技术
一般来说,一片集成电路晶圆上会有若干颗芯片。晶圆生产出来以后,首先应该让每颗芯片进入测试模式,以便对芯片进行生产测试,生产测试通过后,再对晶圆进行划片,将通过生产测试的芯片摘下并封装。
传统的EEPROM芯片在生产测试阶段,由于晶圆上芯片数目巨大,因此需要耗费大量的时间去检测和排除。传统测试参见附图1:上位机发送总线格式大多采用IIC/SPI,这类总线多数是串行的数据格式,数字逻辑电路将串行的总线格式转换成EEPROM所指定的读/写并行格式的时序,并做相应操作。由附图1所示,上位机需要发送多条读/写命令给EEPROM芯片,才能覆盖测试完整。以附图2和附图3中常见的IIC总线为例,工作频率200KHz,发送一条写命令占用29个时钟周期,消耗时间约145ns;发送一条读命令占用38个时钟周期,消耗时间约190ns。这样重复的操作消耗了极大的时间成本。这种批量测试,为了节约EEPROM的测试时间,通常仅对首地址进行读写操作,对全片读写、擦除操作测试,也不会特地进行芯片存储容量的查询与判断,因为那样做消耗更多的测试时间。
发明内容
为了解决上述的问题,本发明提出一种高效的EEPROM自测试方法。参见附图4:此发明中,上位机只需发送一次命令请求,数字逻辑电路按照需求,自主发送写和读请求至EEPROM,上位机等待一定时间后,如果收到正确的返回数据,则认为此EEPROM测试完成。这个方案中,有几个优势:
1.上位机仅发送一次简单的命令指示。数字逻辑电路解析此命令后,自动发送写和读EEPROM请求。代替了传统繁琐的读写时序。
2.数字电路与EEPROM的接口是并行数据处理。
3.EEPROM接口采用的读写时钟一般会大于IIC串行时钟。
4.上位机发送命令后,数字逻辑电路无须返回从EEPROM读取的数据。只需返回4个标志位给上位机,告诉当前检测已完成。
5.数字电路知道对应EEPROM的存储量,可以对芯片做完整测试。
6.上位机命令开发流程很大程度上被简化,减少出错概率。
7.在上位机等待芯片返回标志位的进程中,可以同时对其他芯片操作。
由此可见,本发明中的EEPROM自测试方式带来的各种开销的缩减是显而易见的。虽然此方案会稍微增加一些数字逻辑资源,但是与宝贵的时间成本权衡下来,此种方案更能凸显它的实用价值。
附图说明
图1为本发明示例传统EERPOM读写测试方式。
图2为本发明示例IIC典型写命令时序。
图3为本发明示例IIC典型读命令时序。
图4为本发明示例提出的一种高效EEPROM读写测试方式系统框图。
图5为本发明示例提出的一种自测试命令格式
具体实施方式
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