[发明专利]一种恩诺沙星限进表面分子印迹材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种恩诺沙星限进表面分子印迹材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯微球与硫酸溶液混合进行第一水解反应，得到聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯-OH微球；

将所述聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯-OH微球、乙醇溶液、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和吡啶混合进行接枝反应，得到聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；

将恩诺沙星、聚丙烯酰胺、甲基丙烯酸和甲醇乙腈溶液混合进行预聚合反应后，再与所述聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯和偶氮二异丁腈混合进行聚合反应，然后将所得聚合产物与硫酸溶液混合进行第二水解反应，得到所述恩诺沙星限进表面分子印迹材料；

所述恩诺沙星限进表面分子印迹材料为核壳结构，以聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷微球作为核，以恩诺沙星分子印迹层作为壳。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯微球、恩诺沙星、甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯和偶氮二异丁腈的质量比为1:0.04～0.12:0.029～0.086:0.008～0.024:0.15～0.45:0.032～0.095:0.0019～0.0131。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸缩水甘油酯/乙二醇二甲基丙烯酸酯微球与甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的质量比为1:1.7～3.4。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一水解反应的温度为60～75℃，时间为8～15h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述接枝反应的温度为50～60℃，时间为24～36h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预聚合反应的温度为0～8℃，时间为4～12h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的温度为60～75℃，时间为24～36h。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二水解反应的温度为60～75℃，时间为8～15h。