[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 201910850464.4 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN111273855A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 李相杰;金贤云;张恩禑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 操作方法
【说明书】:

公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括:非易失性存储器装置,包括存储空间;以及控制器,被配置为:将非易失性存储器装置的存储空间划分和管理为用户区和元区,并将对用户区的访问提供给主机装置。控制器还被配置为:响应于从主机装置接收到廉价磁盘冗余阵列(RAID)备用信息,基于RAID备用信息从用户区选择RAID备用区,并使用RAID备用区的至少一部分作为预留空间区。

本申请要求于2018年12月4日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0154413号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

在此描述的发明构思的实施例涉及半导体装置,更具体地讲,涉及将主机装置指定的备用区用作预留空间区(over provision area)的存储装置以及该存储装置的操作方法。

背景技术

存储装置可包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的控制器。非易失性存储器装置可包括闪存装置、相变存储器装置、铁电存储器装置、磁存储器装置、电阻式存储器装置等。

在非易失性存储器装置之中,闪存装置具有写前擦除特性。为了在闪存装置的特定区中写入数据,可首先对该特定区执行擦除操作。也就是说,闪存装置可不支持重写操作。

当不支持重写操作时,会发生闪存装置的访问速度的降低。为提高闪存装置的访问速度,存储装置可使用闪存装置的部分存储区域。也就是说,闪存装置的部分存储区域可用于提高性能并且可不提供给主机装置。

随着存储装置的容量增加,存储装置的可被使用以提高性能的区域(例如,作为部分存储区域)的容量也会增加。这可表示存储装置中的不可用的容量也增加。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种增加可使用的存储空间的量的存储装置以及存储装置的操作方法。

根据本发明构思的实施例,一种存储装置,包括:非易失性存储器装置,包括存储空间;以及控制器,被配置为:将非易失性存储器装置的存储空间划分和管理为用户区和元区并将对用户区的访问提供给主机装置。控制器还被配置为:响应于从主机装置接收到廉价磁盘冗余阵列(RAID)备用信息,基于RAID备用信息从用户区选择RAID备用区,并使用RAID备用区的至少一部分作为预留空间区。

根据本发明构思的实施例,一种存储装置,包括:非易失性存储器装置,包括存储空间;以及控制器,被配置为:将非易失性存储器装置的存储空间划分和管理为用户区、第一预留空间区和元区,并将对用户区的访问提供给主机装置。控制器还被配置为:响应于从主机装置接收到RAID备用信息,基于RAID备用信息从用户区选择RAID备用区,并使用RAID备用区的至少一部分作为第二预留空间区。

根据本发明构思的实施例,一种操作存储装置的方法,所述存储装置包括非易失性存储器装置和控制器,所述方法包括:由控制器将存储装置的用户区的容量信息提供给主机装置;由控制器从主机装置接收到RAID备用信息;由控制器基于RAID备用信息将用户区划分为主要使用区和RAID备用区;以及由控制器通过将RAID备用区的至少一部分用作预留空间区来支持针对主要使用区的读取操作和写入操作。

附图说明

通过参照附图对本发明构思的示例实施例进行详细描述,本发明构思的以上和其他目的以及特征将变得清楚。

图1示出根据本发明构思的实施例的存储装置。

图2示出根据本发明构思的另一实施例的存储装置。

图3示出根据本发明构思的实施例的存储装置的操作方法。

图4示出在图2的存储装置中根据图3的方法指定RAID备用区的示例。

图5示出包括存储装置阵列的计算装置。

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