[发明专利]一种高B

权利要求书

1.一种高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）采用感应熔炼法制备铁基非晶母合金；

2）将铁基非晶母合金进行加热熔融后，采用多级粉碎雾化法制得高球形度的微细非晶粉末；

3）将步骤2）中获得的非晶粉末与树脂在丙酮溶液中混合，搅拌至溶剂完全挥发后置于真空干燥箱干燥、研磨得到绝缘包覆好的非晶复合磁粉；

4）将步骤3）中获得的非晶复合磁粉与润滑剂均匀混合后倒入模具，压制成型，置于真空退火炉中进行晶化退火处理，得到高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯。

2. 根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述铁基非晶母合金原子百分比组成为Fe_{100-a-b-c-d-e}Si_aB_bP_cCu_dM_e，其中M为Nb、Mo、Zr、 Ta、V中的一种或几种，a为5-15，b为4-13，c为1-8，d为0.1-2，e为0.1-4。

3. 根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤2）中将铁基非晶母合金进行加热到铁基非晶母合金熔点以上200-350℃，并保温10- 50min。

4. 根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述的多级粉碎雾化法包括气体雾化和高速转盘离心雾化两个步骤，所述的气体雾化过程中，雾化压力为2-5 MPa；所述的高速转盘离心雾化过程中，高速转盘的转速为15000-20000r/min；所述的微细非晶粉末的平均粒径D₅₀为10-18 μm。

5.根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤3）中，所述的树脂为环氧树脂、硅酮树脂、有机硅树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂中的一种或几种，树脂的添加量为非晶粉末质量的0.1-5%，更优的为0.3-2%。

6.根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤4）中，所述润滑剂包括硬脂酸锌、硬脂酸镁或乙撑双硬脂酸酰胺中的一种或几种，润滑剂的添加可以通过机械混合或包覆过程混合的两种方式进行，添加量为非晶粉末质量的0.2-2%。

7. 根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤4）中，压制成型条件为：压力为600-2200 MPa，采用分步压制成型，首先，以100 MPa/min的速率增加压力至800-1200MPa并保压1-3min，随后，以300-500 MPa/min的速率增加压力至1600-2200MPa并保压0.5-5min。

8. 根据权利要求1所述的高B_s高频低损耗纳米晶磁粉芯的制备方法，其特征在于，步骤4）中，所述晶化退火的温度为470-550 ℃，退火保温时长为0.5-5 h，保温结束后自然冷却至室温。