[发明专利]P型氮化镓器件的驱动装置

说明书

本发明提供了一种P型氮化镓器件的驱动装置，包括：驱动IC、稳定电路、驱动电路、稳压电路、导通电路，所述稳压电路包括串联连接的第一二极管和稳压电阻，所述第一二极管的阳极指向P型氮化镓器件的栅极；其中，所述驱动IC的输出端口分别与所述稳压电路的第一端口和所述导通电路的第一端口连接，所述稳压电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述导通电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述稳定电路的第二端口和所述驱动电路的第二端口均与所述P型氮化镓器件的栅极连接，所述驱动IC的接地端口和所述P型氮化镓器件的源极均接地。本发明能提升P‑GaN的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种P型氮化镓器件的驱动装置。

背景技术

GaN宽禁带半导体材料，相比于Si材料，具有高的击穿电场(高达3MV/cm)、高的饱和电子漂移速度和良好的热导率等优越的性能，适合制作应用于高频和高功率的功率器件。

GaN材料具有较强的极化效应，极化方向上生长的AlGaN/GaN异质结的界面由于极化效应形成1013cm-2左右高浓度和高电子迁移率的二维电子气(2DEG)，使得AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)具有极低的导通电阻，非常适合制作功率开关器件。因此利用具有2DEG的GaN异质结构来制备高性能的常关型功率开关器件，是实现GaN功率开关器件实用化目标的重要课题。

增强型GaN功率开关器件一般由P-GaN和凹栅两种工艺途径实现。P-GaN的增强型GaN功率开关器件的阈值电压仅能达到1.5v左右，栅压摆幅较小，可靠性不佳。

发明内容

本发明提供了一种P型氮化镓器件的驱动装置，其目的是为了解决增强型P-GaN功率开关器件的阈值电压低，反向耐压不足，可靠性较差的问题。

为了达到上述目的，本发明的实施例提供了一种P型氮化镓器件的驱动装置，包括：驱动IC、稳定电路、驱动电路、稳压电路、导通电路，所述稳压电路包括串联连接的第一二极管和稳压电阻，所述第一二极管的阳极指向P型氮化镓器件的栅极；

其中，所述驱动IC的输出端口分别与所述稳压电路的第一端口和所述导通电路的第一端口连接，所述稳压电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述导通电路的第二端口分别与所述稳定电路的第一端口和所述驱动电路的第一端口连接，所述稳定电路的第二端口和所述驱动电路的第二端口均与所述P型氮化镓器件的栅极连接，所述驱动IC的接地端口和所述P型氮化镓器件的源极均接地。

其中，所述导通电路包括串联连接的第二二极管和导通电阻，所述第二二极管的阴极指向所述P型氮化镓器件的栅极。

其中，所述驱动装置还包括消耗电路，所述消耗电路的第一端口分别与所述P型氮化镓器件的栅极、所述稳定电路的第二端口、所述驱动电路的第二端口连接，所述消耗电路的第二端口与所述P型氮化镓器件的源极连接。

其中，所述消耗电路包括串联连接的第三二极管和第一稳压管，所述第三二极管的阴极指向所述P型氮化镓器件的栅极，所述第一稳压管的阳极指向所述P型氮化镓器件的栅极。

其中，所述消耗电路还包括消耗电阻，所述消耗电阻与所述第三二极管和所述第一稳压管串联连接。

其中，所述稳定电路包括第一稳定电阻。

其中，所述稳定电路还包括：与所述第一稳定电阻并联连接的第二稳压管和第二稳定电阻，且所述第二稳压管与所述第二稳定电阻串联连接，所述第二稳压管的阳极指向所述P型氮化镓器件的栅极。

其中，所述驱动电路包括驱动电容。

其中，所述驱动电容为高频贴片电容。

其中，所述驱动IC为单输出通道驱动IC。