[发明专利]一种制备窄间距的手性微纳结构的方法

说明书

本发明涉及微纳结构制备领域，具体涉及一种制备窄间距的手性微纳结构的方法，主要制备步骤包括涂覆光刻胶、电子束曝光、显影定影、倾斜蒸镀金属材料和剥离光刻胶。制备的过程中曝光较大尺寸的图形，通过倾斜蒸镀就可以制备出窄间距的金属微纳结构，并且该结构的参数可以通过蒸镀束流的角度和蒸镀时间进行调节。该制备方法操作简便，避免了制备小间距结构需要很高的工艺要求。

技术领域

本发明涉及微纳结构制备领域，具体涉及一种制备窄间距的手性微纳结构的方法。

背景技术

随着中国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展，纳米加工技术的研究越来越重要，而电子束光刻技术将是纳米结构图形加工中非常重要的手段。

电子束刻蚀时近十年来发展起来的一项新的微细加工技术，它是在计算机控制下，利用核能电子束对抗蚀剂的作用而形成的一套全新的高分辨刻蚀技术。他所加工出来的图形分辨率高，线条边缘陡直。电子束刻蚀不仅已广泛用于制造光刻蚀用的掩膜版，而且还可以直接在晶片上加工芯片图形，实现了以“无掩模”曝光技术来制造集成电路和器件，当前已成为加工微电子器件的重要手段。随着纳米科学的迅猛发展，纳米材料和器件已普遍应用在人类生活的各个领域，如电子、生物传感、半导体芯片、光学新型材料和生物医用等多个领域。特别是在生物传感方面，手性探测器经常需要窄间距的手性微纳结构。

目前用电子束刻蚀技术加工窄间距图形，需要高精度的电子束，并且在曝光的过程中对每个参数要求的精准度都要求很高，而且剥离胶时，窄间距的区域，光刻胶不易脱落。

发明内容

为了解决现有技术中存在的制备窄间距手性微纳结构时，需要高精度的电子束，并且在曝光的过程中对每个参数要求的精准度都要求很高，而且剥离胶时，窄间距的区域，光刻胶不易脱落的问题，本发明提供了一种制备窄间距的手性微纳结构的方法，该结构通过曝光大结构的和倾斜镀膜就可以制备窄间距手性微纳结构，而且制备精度高。

本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种制备窄间距的手性微纳结构的方法，包括以下步骤：

准备基底：准备洁净的玻璃基底或者ITO基底；

涂覆光刻胶：用甩胶机在准备好的基底表面甩一层光刻胶；

电子束曝光结构图形：用图形发生器设计方形周期阵列结构，并用电子束对设定区域曝光刻蚀，得到宽度为d的缝隙；

显影定影；

蒸镀金属：采用电子束真空蒸发镀膜仪蒸镀金属材料；

除胶：将蒸镀完金属的基底放入冷藏的丙酮溶液中除胶；

冲洗：用去离子水将除胶后的基底用去离子水冲洗至洁净。

进一步地，所述蒸镀金属的具体步骤为：

步骤一，采用第一沉积角θ₁在第一区域蒸镀厚度为h₁，宽度为w₁的金属材料；

步骤二，采用第二沉积角θ₂在第二区域蒸镀厚度为h₂，宽度为w₂的金属材料；