[发明专利]一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法在审
| 申请号： | 201910828982.6 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110512208A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马捷;程文涛;李洪义;魏建忠;吴龙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/16;C23C14/35;C23C16/14;C23C16/02 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张立改<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 结合力 钛基体 表面制备 磁控溅射 复合涂层 强附着力 钛合金 钼层 预处理 金属材料表面 改性技术 高温影响 性能缺陷 铜薄膜 扩宽 氢脆 薄膜 侵蚀 应用 | ||
1.一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)磁控溅射Cu：以Cu为靶材、经过清洁预处理的TA1为基体；先抽真空再加热至375℃后开始启辉预溅射，预溅射30s后在钛基体上溅射铜3h，最后降至室温取出样品；
(2)化学气相沉积W：试验以WF6和H2为反应气体，H2为保护气体，以步骤(1)磁控溅射铜后的钛为基体，WF6和H2气体流量由针阀及流量计控制；试验开始先通H2进反应室，后等反应室加热至W沉积所需温度，同时把WF6加热后进行气化，然后通入WF6进行化学气相沉积，WF6和H2摩尔比＝1:5；工艺温度为450℃，工艺时间为10min；
(3)化学气相沉积Mo：试验以MoF6和H2为反应气体，Ar为保护气体，以步骤(2)化学气相沉积W后的钛为基体，此步骤实验紧接步骤(2)进行；试验中的MoF6和H2气体流量由针阀及流量计控制，此步骤开始时先通Ar进反应室后再缓慢关闭H2，将反应室加热到钼沉积所需温度，同时把MoF6加热后进行气化，然后通入H2后关掉Ar，再通MoF6进行化学气相沉积，MoF6和H2摩尔比＝1:5；工艺温度为600℃-800℃，工艺时间为30min。
2.按照权利要求1所述的一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法，其特征在于，步骤(2)和(3)化学气相沉积设备反应室为边长25mm长度1000mm的方形不锈钢管，用管式炉分别加热到各自反应所需温度后开始化学气相沉积；步骤(2)参数：WF6和H2摩尔比＝1:5，工艺温度为450℃，工艺时间为10min；步骤(3)参数：MoF6和H2摩尔比＝1:5，工艺温度为650℃-750℃，工艺时间为30min。
3.按照权利要求1所述的一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法，其特征在于，步骤(1)溅射参数:预溅射30S，溅射时间3h，溅射功率200W，溅射温度375℃。
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