[发明专利]测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

至少一个自旋轨道矩提供线；

多个阻变器件，各所述阻变器件位于所述自旋轨道矩提供线的表面上，所述阻变器件包括至少一个磁性层；

第一测试电极，与至少一个所述自旋轨道矩提供线的第一端电连接；

第二测试电极，与至少一个所述自旋轨道矩提供线的第二端电连接；

第三测试电极，分别与多个所述阻变器件的远离所述自旋轨道矩提供线的一端电连接。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述自旋轨道矩提供线有多个，且所述阻变器件一一对应地设置在所述自旋轨道矩提供线上。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，各所述自旋轨道矩的一端分别与所述第一测试电极电连接，各所述自旋轨道矩的另一端分别与所述第二测试电极电连接。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，多个所述自旋轨道矩提供线串联形成自旋轨道矩提供组，所述自旋轨道矩提供组的一端与所述第一测试电极电连接，所述自旋轨道矩提供组的另一端与所述第二测试电极电连接。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述自旋轨道矩提供线有一个，各所述阻变器件间隔地设置在所述自旋轨道矩提供线的表面上，所述自旋轨道矩提供线的一端与所述第一测试电极电连接，所述自旋轨道矩提供线的另一端与所述第二测试电极电连接。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述自旋轨道矩提供线包括依次连接的第一自旋段、第二自旋段和第三自旋段，其中，所述第一自旋段和所述第三自旋段平行，所述第一自旋段和第三自旋段在通过电流时电流方向相反。

7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第三测试电极有两个，位于所述第一自旋段上的各所述阻变器件与一个所述第三测试电极电连接，位于所述第三自旋段上的各所述阻变器件与另一个所述第三测试电极电连接。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述阻变器件为MTJ。

9.一种用于测试权利要求1至8中任一项所述的测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

步骤S2，在第一测试电极和第二测试电极之间施加激励电信号，或者在所述第一测试电极和第三测试电极之间施加所述激励电信号；

步骤S3，在所述第二测试电极和所述第三测试电极之间或者在所述第三测试电极和所述第一测试电极之间施加预定电信号，测试多个阻变器件的电阻，所述预定电信号小于所述阻变器件的任意一个磁性层的翻转电信号；

步骤S4，依次重复执行所述步骤S2和所述步骤S3多次，直到所述阻变器件的电阻不再发生变化，得到第一关系式，所述第一关系式为所述电阻与所述激励电信号之间的关系式，且得到的至少部分所述电阻不同，任意两次重复过程中，后一次的所述激励电信号大于或者小于前一次的所述激励电信号，且多次所述重复过程中，所述激励电信号单调变化；

步骤S6，至少根据所述第一关系式获取所述阻变器件的电性能参数，所述电性能参数包括至少一个所述磁性层的翻转电压的均值和所述翻转电压的标准差。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，在所述步骤S2之前，所述测试方法还包括：

步骤S1，初始化各所述阻变器件，使得各所述阻变器件处于相同的阻态。

11.根据权利要求9或10所述的测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，在所述第一测试电极和所述第二测试电极之间施加激励电信号，所述步骤S2还包括：在所述第三测试电极上施加预定调控电压。

12.根据权利要求9或10所述的测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，在所述第一测试电极和所述第三测试电极之间施加激励电信号，所述激励电信号为激励电压。