[发明专利]一种材料介电张量测量方法

权利要求书

1.一种材料介电张量测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定偏转换矩阵T_p和透射矩阵T_t，进而由偏转换矩阵T_p、透射矩阵T_t和入射矩阵T_i得到待测材料表面电磁波的传输矩阵T_m＝T_i^-1T_pT_t；

由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定偏转换矩阵T_p，具体包括以下步骤：

(1)由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定矩阵Δ_B：

其中，θ_i为电磁波入射角，n_i为外界媒质折射率，介电张量初始值

(2)由矩阵Δ_B确定偏转换矩阵T_p＝exp[i(ω/c)Δ_B(-d)]，其中，ω为电磁波角频率，c为真空光速，d为待测材料厚度，i为虚数单位；

由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定透射矩阵T_t，具体包括以下步骤：

(1)若待测材料为光学均质体，则透射矩阵T_t由下式计算得到：

T_t[E_ts 0 E_tp 0]^T＝[E_tpcosθ_t E_ts -B_tscosθ_t B_tp]^T

其中，θ_t为电磁波透射角，E_ts和B_ts分别为透射s偏振光电场和磁场，E_tp和B_tp分别为透射p偏振光电场和磁场；

(2)若待测材料为非光学均质体，则对由介电张量初始值ε(E)确定的矩阵Δ_B进行特征分析，进而得到透射矩阵T_t；

S2由传输矩阵T_m确定待测材料理论穆勒矩阵谱MM_Cal(E)，再将该理论穆勒矩阵谱MM_Cal(E)与待测材料测量穆勒矩阵谱MM_Exp(E)进行拟合分析，从而得到待测材料的介电张量。

2.如权利要求1所述的材料介电张量测量方法，其特征在于，所述入射矩阵T_i由下式计算得到：

T_i[E_is E_rs E_ip E_rp]^T＝[(E_ip-E_rp)cosθ_i E_is-E_rs (B_rs-B_is)cosθ_i B_ip+B_rp]^T

其中，E_is和E_rs分别为入射和反射s偏振光电场，E_ip和E_rp分别为入射和反射p偏振光电场，B_is和B_rs分别为入射和反射s偏振光磁场，B_ip和B_rp分别为入射和反射p偏振光磁场，θ_i为电磁波入射角。