[发明专利]一种LED芯片电学性能的检测装置及方法

说明书

本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结的第二级上时，待测LED芯片、电子枪以及电流信号检测电路形成电流回路，电流回路的电流表征待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免LED芯片磨损的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种LED芯片电学性能的检测装置及方法。

背景技术

现有技术中，对LED芯片的电学性能进行检测一般采用探针接触式的检测。但是，在利用探针对LED芯片进行检测的过程中，探针与LED芯片接触时会对探针造成一定的磨损，从而需要经常更换用于检测的探针，使得检测过程中耗材的消耗量增多。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，用以解决检测过程中，耗材消耗量较多的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例所提供的技术方案如下所示：

第一方面，本申请实施例提供一种LED芯片电学性能的检测装置，包括：电子枪以及电流信号检测电路；所述电流信号检测电路的第一端与所述电子枪连接，所述电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，所述电子枪发射的电子束轰击在所述待测LED芯片的所述PN结的第二级上时，所述待测LED芯片、所述电子枪以及所述电流信号检测电路形成电流回路，所述电流回路的电流表征所述待测LED芯片的电学性能。因此，利用电子束代替探针轰击在待测LED芯片上，从而接通待测LED芯片，以使LED芯片发出光，避免探针磨损较快，需要经常更换探针，从而增大耗材消耗量的问题。同时，待测LED芯片、电子枪发射的电子束与电流信号检测电路形成电流回路，可以通过检测电流回路的电流确定待测LED芯片的电学性能。

在本申请的可选实施例中，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：偏转模块；所述偏转模块设置在所述电子枪与所述待测LED芯片之间，所述偏转模块用于控制所述电子束偏转，以改变电子束轰击的LED颗粒。因此，当待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片时，可以通过偏转模块实现电子束的偏转，以使电子束依次轰击在LED颗粒上，快速的检测待测LED芯片中多个LED颗粒的电学性能。

在本申请的可选实施例中，所述待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片，所述集成芯片中所有LED颗粒的PN结的第一级连接，并与所述第一端连接，所述LED芯片电学性能的检测装置还包括：可运动载台；所述可运动载台用于放置所述待测LED芯片，并能够在所述电子枪发射电子束时运动，以改变电子束轰击的LED颗粒。因此，当待测LED芯片为包括多个LED颗粒的集成芯片时，可以通过可运动载台实现待测LED芯片的移动，以使电子束依次轰击在LED颗粒上，快速的检测待测LED芯片中多个LED颗粒的电学性能。

在本申请的可选实施例中，所述电流信号检测电路还包括：第三端：所述第三端用于输出所述电流回路的电流。因此，电流信号检测电路中还可以包括第三端，从而可以通过检测第三端输出的电流回路的电流，确定待测LED芯片的电学性能。

在本申请的可选实施例中，所述电流信号检测电路还包括：电流计；所述电流计用于检测所述电流回路的电流。因此，可以通过电流信号检测电路中的电流计检测电流回路的电流，以根据该电流确定待测LED芯片的电学性能。