[发明专利]极紫外辐射源装置

说明书

一种极紫外辐射源装置，包含腔室且腔室包围极紫外光收集镜。极紫外光收集镜配置以收集以及引导在腔室中产生的极紫外辐射。至少三个排放口配置以从腔室移除残余物。在一些实施例中，排放口对称地排列在垂直于极紫外光收集镜的光轴的平面上。在一些实施例中，三个排放孔中的任二相邻的排放口之间的角度为120度。在一些实施例中，四个排放孔中的任二相邻的排放口之间的角度为90度。在一些实施例中，腔室配置以维持压力在0.1毫巴至10毫巴的范围内。

技术领域

本揭露的实施方式是有关于一种极紫外辐射源装置以及避免极紫外辐射源的收集器污染的方法。

背景技术

极紫外光(EUV)显影技术光刻技术被用于制造特征尺寸小于22nm的半导体元件，以满足集成电路中的元件密度增加的需求。

产生用于极紫外光显影的极紫外光辐射的一种方法是使用激光激发电浆 (LPP)，其中使用激光来加热例如锡的熔融金属液滴以产生可发射极紫外辐射的电浆。因为极紫外辐射为电离辐射，故极紫外辐射源通常是保持在真空条件下。也就是说，熔融金属液滴被引入真空腔，并在其中被加热而产生极紫外辐射。使用收集镜收集电浆所产生的极紫外辐射，并将其聚焦在其他光学元件上，由这些光学元件将其引导至微影设备。

发明内容

在一些实施方式中，提供一种极紫外辐射源装置。极紫外辐射源装置包含腔室以及至少三个排放口。腔室包围极紫外光收集镜。其中，极紫外光收集镜配置以收集与引导在腔室中产生的极紫外辐射。至少三个排放口配置以从腔室移除残余物。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种具有激光激发电浆(LPP)极紫外辐射源的极紫外光微影系统的示意图；

图2A是绘示依照本揭露的一些实施方式的用在极紫外辐射源中的一种残余物收集机构的前视图；图2B是绘示依照本揭露的一些实施方式的用在极紫外辐射源中的一种残余物收集机构的侧视图；图2C是绘示依照本揭露的一些实施方式的用在极紫外辐射源中的叶片的局部图片；

图3A是大致绘示依照一实施方式的一种用于极紫外光源的排放气流；

图3B是绘示依照一实施方式的一种用于极紫外光源的排气布局的剖面上视图；

图4A及图4B示出了受到污染的收集镜的照片；

图5是大致绘示依照一实施方式的一种残余物排放结构的上视图；

图6A、图6B及图6C是大致绘示依照多个实施方式的残余物排放结构的一些例示性布局；

图7是大致绘示依照一实施方式的一种替代的残余物排放结构的上视图；

图8A、图8B及图8C是大致绘示依照多个实施方式的残余物排放结构的一些替代的例示性布局；

图9A及图9B是大致绘示依照多个实施方式的残余物排放结构的一些替代的例示性布局。

【符号说明】

100 极紫外辐射源/极紫外辐射源装置

105 腔室

110 激光激发电浆极紫外光收集镜/收集镜

115 目标液滴产生器/液滴产生器

120 液滴捕捉器/锡捕捉器

130 第一缓冲气体供应源

135 第二缓冲气体供应源

140 气体出口/出口