[发明专利]版图修正方法及装置

说明书

一种版图修正方法及装置，所述方法包括：提供初始版图，所述初始版图按预设窗口大小分为多个版图窗口；确定各个版图窗口内的初始版图密度，并确定初始版图密度超出预设密度范围的版图窗口为冗余图形添加窗口；对于每个冗余图形添加窗口，确定与所述冗余图形添加窗口的各条边相邻的各个版图窗口，作为相邻窗口，并确定每个冗余图形添加窗口的相邻窗口的初始版图密度的平均值；对每个冗余图形添加窗口，确定所述冗余图形添加窗口的初始版图密度与对应的相邻窗口的初始版图密度的平均值之间的差值，作为密度添加值；基于所述密度添加值，向所述冗余图形添加窗口内添加冗余图形。本发明方案可以提高添加冗余图形的效率和正确率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种版图修正方法及装置。

背景技术

集成电路版图是半导体制造技术领域中重要的一环，除了需要体现电路的逻辑或功能以确保版图原理图(Layout Versus Schematic Check，LVS check)验证正确之外，还要增加一些与LVS验证无关的图形，以减小过程的偏差，这些图形我们称之为冗余图形(Dummy Pattern)。

冗余图形的添加质量对许多工艺产生影响，例如刻蚀时出现刻蚀不足或者刻蚀过度导致的表面均匀性降低问题，以及化学气相研磨工艺之后晶圆表面的平整度教差的问题。

以化学气相研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)工艺为例，在CMP之后，对晶圆(Wafer)表面的平整度差具有较高的要求。而晶圆表面的平坦程度，与初始版图的密度分布有着重要关联。具体而言，版图密度分布不均匀，容易导致CMP后晶圆表面形成凹陷(Dishing)和侵蚀(Erosion)。通过在版图中插入冗余图形，可以使版图的密度分布相对均匀，从而有助于提高CMP工艺窗口。

然而，在现有技术中，冗余图形的添加过程是按照预设步长的添加窗口(Window)尺寸进行的，由于版图图形设计千差万别，某些添加窗口中的原始图形，可能积聚在划分后的添加窗口的角落中。虽然单个添加窗口中的版图密度满足设计规则，但在添加窗口的衔接处会存在密度不足情况。这种相临添加窗口的密度台阶差，会影响后续工艺的生产质量，例如影响CMP后wafer表面平坦度。

在现有技术中，针对上述问题，采用人工检查添加的方式解决，具体而言，使用版图工具打开版图，确定低密度窗口后，人工添加冗余图形，并且重复验证密度规则。然而，由于整个版图中存在密度台阶差的窗口数量极大(可能多达成百上千个)，人工修改工作量过大，且需要反复验证，时间和效率上均难以满足需求。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种版图修正方法及装置，可以提高添加冗余图形的效率和正确率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种版图修正方法，包括：提供初始版图，所述初始版图按预设窗口大小分为多个版图窗口；确定各个版图窗口内的初始版图密度，并确定初始版图密度超出预设密度范围的版图窗口为冗余图形添加窗口；对于每个冗余图形添加窗口，确定与所述冗余图形添加窗口的各条边相邻的各个版图窗口，作为相邻窗口，并确定每个冗余图形添加窗口的相邻窗口的初始版图密度的平均值；对每个冗余图形添加窗口，确定所述冗余图形添加窗口的初始版图密度与对应的相邻窗口的初始版图密度的平均值之间的差值，作为密度添加值；基于所述密度添加值，向所述冗余图形添加窗口内添加冗余图形。

可选的，提供初始版图包括：提供原始版图；采用原始密度添加值，对所述原始版图添加初始冗余图形，并以添加后的原始版图作为所述初始版图。

可选的，对于每个冗余图形添加窗口，确定与所述冗余图形添加窗口的各条边相邻的各个版图窗口之前，所述的版图修正方法还包括：对所述冗余图形添加窗口进行提取。

可选的，所述的版图修正方法还包括：去除所述冗余图形添加窗口中的初始版图的图形，以得到所述冗余图形；依照所述冗余图形添加窗口在初始版图中的位置，将所述冗余图形添加至所述初始版图。