[发明专利]高纯度碳化硼粉料的制造系统

权利要求书

1.一种高纯度碳化硼粉料的制造系统，其特征在于，所述制造系统包括：

进料装置，其设置成以旋转进料方式供应包含碳化硼粉料的物料；

容器装置，其具有进料口、出料口以及与它们相连通且设置有除碳区的腔体，所述除碳区设置成用于接收经由所述进料口送入的所述物料并进行除碳处理，以将其中游离碳的重量含量降至不大于预设值；以及

净化装置，其与所述出料口相连通，并设置成用于至少部分地去除通过所述腔体后的物料中的氧化硼，从而获得碳化硼的重量含量不低于99%的高纯度碳化硼粉料。

2.根据权利要求1所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述腔体还设置有冷却区，其与所述除碳区相连通，并设置成用于将经过除碳处理后的物料冷却至第一温度范围内。

3.根据权利要求2所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述冷却区与所述除碳区均垂直布置，并且所述冷却区布置在所述除碳区的下方，使得所述物料在借助重力进行自然下坠通过所述除碳区期间实施除碳处理，并在借助重力进行自然下坠通过所述冷却区期间实施冷却处理。

4.根据权利要求2或3所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述第一温度范围是所述容器装置所在位置处的环境室温-80℃，并且/或者所述预设值不大于1%。

5.根据权利要求1、2或3所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述制造系统还包括：

真空装置，其设置成用于提供真空条件，使得所述物料在真空条件下进行供应；和/或

加热装置，其设置成用于向所述除碳区提供热量而使得其中至少一部分区域的温度处于第二温度范围内，以促使所述物料中的游离碳在进行氧化反应后其重量含量降至不大于所述预设值。

6.根据权利要求5所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述加热装置是电加热装置，并且/或者所述第二温度范围是300℃-380℃。

7.根据权利要求1、2或3所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述进料装置包括：

一个或多个旋振筛，其布置在所述进料口处；以及

传送装置，其用于将所述物料传送至所述旋振筛。

8.根据权利要求7所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述旋振筛设置有两个或更多个，它们以相同或不同的预设间距被彼此间隔地叠置在所述进料口处。

9.根据权利要求1、2或3所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述净化装置设置成通过溶剂来漂洗去除通过所述腔体后的物料中的氧化硼。

10.根据权利要求9所述的高纯度碳化硼粉料的制造系统，其中，所述溶剂是温度范围为60℃-100℃的水。