[发明专利]体声波谐振器在审
申请号: | 201910720464.2 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN111010113A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 李泰京;孙晋淑;庆济弘;金成善;申兰姬;李华善 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/13;H03H9/17 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王秀君;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 | ||
1.一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:
基板;
种子层,设置在所述基板上,并且所述种子层具有六方晶体结构;
底电极,设置在所述种子层上;
压电层,至少部分地设置在所述底电极上;以及
顶电极,设置在所述压电层上,
其中,所述底电极和所述顶电极中的任意一个或两个包括含钪铝合金层。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述种子层包括钛。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述种子层包括钌。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述底电极和所述顶电极均包括所述含钪铝合金层。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述顶电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。
6.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述底电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,仅所述底电极包括所述含钪铝合金层,并且
所述顶电极包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器,其中,所述底电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的另一层。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,仅所述顶电极包括所述含钪铝合金层,并且
所述底电极包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器,其中,所述顶电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的另一层。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述含钪铝合金层中的钪的含量在0.1at%至5at%的范围内。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述压电层包括氮化铝或包含稀土金属的掺杂氮化铝。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器,其中,所述掺杂氮化铝包括选自由钪、铒、钇和镧组成的组中的任意一种或者钪、铒、钇和镧中的任意两种或更多种的组合的掺杂物,并且所述掺杂氮化铝中的所述掺杂物的含量在0.1at%至30at%的范围内。
14.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:
蚀刻停止部,设置在所述基板和所述底电极之间,并设置在腔周围。
15.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:
插入层,设置在所述压电层的一部分的区域的下方。
16.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,腔形成在所述基板上或形成在所述基板中。
17.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述顶电极包括设置在所述体声波谐振器的有效区域的边缘处的框架部。
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