[发明专利]一种有机发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910715501.0 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN112331694B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 未治奎;亢澎涛 申请(专利权)人: 上海和辉光电股份有限公司
主分类号: H10K59/121 分类号: H10K59/121;H10K59/123;H10K71/16
代理公司: 上海隆天律师事务所 31282 代理人: 臧云霄;朱俊跃
地址: 201506 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光装置,所述有机发光装置的外表面包括发光区域和非发光区域,其特征在于,所述非发光区域上还设有光伏效应电池,所述有机发光装置包括发光层和有机光阻层,所述光伏效应电池设在所述有机光阻层上,所述光伏效应电池包括相互连接形成PN结的N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层,所述PN结的两边通过导线与负载或储能装置连接,所述光伏效应电池的外表面上还设有若干的沟槽,所述PN结和沟槽通过在所述有机光阻层上沉积半导体层后掺杂、刻蚀后形成,所述沟槽的宽度为0.1μm~20nm。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于:所述光伏效应电池的覆盖面积等于所述有机发光装置外表面的非发光区域的面积。

3.根据权利要求1所述的有机发光装置,其特征在于:所述若干的沟槽排列呈阵列结构。

4.一种如权利要求1所述有机发光装置的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:

步骤1,在所述有机发光装置上沉积非晶硅,退火后进行P型掺杂;

步骤2,在P型掺杂的多晶硅层上沉积非晶硅,退火后进行N型掺杂,并形成PN结;

步骤3,通过光刻在N型掺杂的多晶硅层和P型掺杂的多晶硅层上得到开孔,所述开孔作为发光区域;

步骤4,在PN结的两边连接导线,在光照下便可将电能导出。

5.根据权利要求4所述的有机发光装置的制造方法,其特征在于:所述步骤3中还包括在N型掺杂的多晶硅层的外表面通过刻蚀制作出若干的沟槽。

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