[发明专利]一种直写光刻机的光刻系统在审
申请号: | 201910714857.2 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN112327578A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 张柯;张雷;李伟成 | 申请(专利权)人: | 苏州源卓光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
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地址: | 215026 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 系统 | ||
本发明提供了一种光刻系统,包括曝光系统、运动平台系统,所述曝光系统用于对待曝光的基板进行投影,所述运动平台系统用于根据所述曝光系统的曝光操作带动待曝光的基板移动,所述曝光系统的光源为红外光源。本发明采用红外波段的光源取代或者部分取代紫外波段的光源,大幅度提高光源的能量,缩短曝光的时间,提高曝光的效率。
技术领域向
本发明涉及一种直写光刻机的光刻系统,特别是一种应用高能量光源的直写式光刻机的光刻系统。
背景技术
光刻技术广泛应用于半导体和PCB生产领域,是制作半导体器件、芯片和PCB板等产品的工艺步骤之一,其用于在基底表面上印刷特征图形,最终获得依据电路设计所需的图形结构。传统的光刻技术需要制作掩膜的母版或者菲林底片进行曝光操作,制作周期长,且每一版对应单一图形,不能广泛应用。为解决传统光刻技术的问题,直写光刻机构应运而生,其利用数字光处理技术,通过可编程的数字反射镜装置实现编辑不同的所需的图形结构,能够快速切换图形,其不仅可以降低成本,还可以减少制程的时间,正广泛应用于光刻技术领域。
光刻的原理是通过曝光的方法将掩膜图像转移到涂覆于基底表面的光刻胶上,然后通过显影、刻蚀等工艺,最终获得所需的图形结构。光刻胶是光刻工艺中的关键材料之一,常用的光刻胶包括油墨、防焊油墨等,也可分为干膜、湿膜等多种材料,其通过光源发出的光照射后形成相对于某些溶剂的可溶物或者不可溶物,通过刻蚀去除或者保留所述光刻胶,形成所需的图形结构。目前采用的光源通常处于紫外波段,而目前紫外波段的光源能量较低,且难以提高,影响曝光的效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高光源能量的曝光系统。
为了解决上述问题,本发明提供了一种光刻系统,包括曝光系统、运动平台系统,所述曝光系统用于对待曝光的基板进行投影,所述运动平台系统用于根据所述曝光系统的曝光操作带动待曝光的基板移动,所述曝光系统的光源为红外光源。
进一步的,所述曝光系统包括第一曝光系统和第二曝光系统,所述第一曝光系统和所述第二曝光系统的光源波长不同。
进一步的,所述第一曝光系统和所述第二曝光系统中,其中一曝光系统的波长范围为紫外波段,另一波光系统的波长范围为红外波段。
进一步的,所述曝光系统包括多个投影成像镜头,相邻所述投影成像系统在成像面形成的成像区域在垂直于所述扫描方向上彼此拼接或重叠,覆盖垂直于所述扫描方向全部区域。
进一步的,所述投影成像系统包括分光系统。
进一步的,所述分光系统至少包括两组光学元件,所述每组光学元件对应一个光路,在所述成像面上分别形成一个成像区域。
进一步的,所述每组光学元件包括两个平行相对的第一反射面和第二反射面,所述第一反射面和所述第二反射面均与所述成像面具有一定夹角。
进一步的,相邻的所述投影成像系统中,相邻的所述分光系统中的反射面在垂直于扫描方向上相接或者相交叠。
进一步的,所述紫外波段的范围是350nm-430nm。
进一步的,所述光源是波长为355nm、365nm、375nm、385nm、395nm、405nm、415nm中的任一单一波长,或者上述波长中至少两种不同波长的混合波长。
进一步的,所述红外光源的波长不小于800nm。
与现有技术相比,本发明采用红外波段的光源取代或者部分取代紫外波段的光源,大幅度提高光源的能量,缩短曝光的时间,提高曝光的效率。
附图说明
图1是光刻系统第一实施例的示意图。
图2是第一实施例投影成像系统的示意图。
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