[发明专利]激光二极管驱动方法及装置在审
申请号: | 201910707964.2 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110797748A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 罗伯特·斯塔克 | 申请(专利权)人: | 溥美公司 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 51258 成都超凡明远知识产权代理有限公司 | 代理人: | 魏彦;洪玉姬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光二极管 阈值水平 预充电 电容 方法和设备 并联设置 电容充电 电容启动 偏置电流 电阻器 电路 驱动 | ||
1.一种驱动激光二极管的方法,包括:
将所述激光二极管的偏置电流增加到阈值水平,其中,所述阈值水平低于所述激光二极管的启动水平,并且其中,将电阻器与所述激光二极管并联设置;
将电容充电到包括有所述激光二极管的电路的预充电电容,其中,所述预充电电容低于所述激光二极管的电容启动水平;以及
启动所述激光二极管。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,通过向所述激光二极管提供电流的单个幅度脉冲来执行增加所述激光二极管的所述偏置电流。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过向激光脉冲提供幅度脉冲的突发脉冲序列来执行增加所述激光二极管的所述偏置电流。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过可调电压源来增加所述激光二极管的所述偏置电流。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,通过模拟开关来控制所述可调电压源。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,通过将电流从零水平扫到所述阈值水平来将所述激光二极管的所述偏置电流增加到所述阈值水平。
7.一种驱动激光二极管的方法,包括:
以一系列脉冲将所述激光二极管的偏置电流增加到阈值水平,其中,所述阈值水平低于所述激光二极管的启动水平,并且其中,将电阻器与所述激光二极管并联设置,并且其中,所述一系列脉冲的频率大于激光二极管电流放电率;
将电容充电到包括有所述激光二极管的电路的预充电电容,其中,所述预充电电容低于所述激光二极管的电容启动水平;以及
启动所述激光二极管。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,通过可调电压源来增加所述激光二极管的所述偏置电流。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,通过模拟开关来控制所述可调电压源。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,通过将电流从零水平扫到所述阈值水平来将所述激光二极管的所述偏置电流增加到所述阈值水平。
11.一种用于向设备提供电流的装置,包括:
二极管;
与所述二极管并联设置的电阻器;
至少两个晶体管,其中,每个晶体管具有集电极、发射极和基极,并且每个集电极连接到所述二极管;
至少一个运算放大器,所述至少一个运算放大器连接到所述至少两个晶体管的每个基极;
直流电源,所述直流电源连接到所述至少一个运算放大器的;以及
至少一个直流电源,所述至少一个直流电源连接到所述至少两个晶体管的所述发射极中的每个发射极。
12.根据权利要求11所述的装置,还包括:
至少一个电容器,所述至少一个电容器与所述至少一个运算放大器并联设置。
13.根据权利要求11所述的装置,其中,所述至少两个晶体管是第一晶体管和第二晶体管。
14.根据权利要求13所述的装置,还包括:
至少两个电阻器,所述至少两个电阻器位于所述第一晶体管的所述发射极和所述第二晶体管的所述发射极之间,并且所述至少一个直流电源连接到所述发射极中的每个发射极。
15.根据权利要求14所述的装置,其中,所述至少两个电阻器是第一电阻器和第二电阻器。
16.根据权利要求15所述的装置,其中,所述第一电阻器具有比所述第二电阻器高的电阻值。
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