[发明专利]一种去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法

说明书

本发明公开了一种去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，涉及污水深度处理技术领域，技术方案为：取污水，加入氧化剂，紫外线照射处理。本发明采用一种新型的高级氧化工艺，利用UV激活过一硫酸盐/过二硫酸盐产生硫酸根自由基(SO₄^·–)和羟基自由基(^·OH)，再通过具有强氧化能力的自由基以及UV对细菌的损伤来去除ARGs和ARB。该高级氧化工艺对环境友好、氧化能力强、不会产生中间污染物，且对ARB和ARGs有较好的去除效果。

技术领域

本发明涉及污水深度处理技术领域，具体涉及一种去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的方法。

背景技术

污水的深度处理工艺作为保障污水安全排放的重要环节,研究不同的深度处理工艺对污染物去除的影响具有重要意义。在深度处理工艺中,消毒技术氯化、UV、臭氧有损伤细菌细胞和细胞内DNA的能力，具有杀灭抗生素抗性菌(antibiotic resistant bacteria,ARB)和破坏抗生素抗性基因(antibiotic resistant genes,ARGs)的潜力，但所需剂量高于常规污水处理厂使用剂量，由于ARB的耐受能力比较强，现行的消毒方法所用的剂量不能有效的去除ARB和ARGs，使得抗性细菌及抗性基因随出水进入到下游河流、湖泊当中，反而促进了ARGs的扩散。而且现行的消毒技术易产生有害的消毒副产物及其他的有毒中间产物等，会对环境造成进一步污染。现有关于消毒技术紫外、氯化等对ARGs和ARB影响的报道,集中于对污水处理厂的监测或对实验室配制水样的处理，而具体消毒工艺操作参数对实际污水中的影响尚无系统的研究，现有的处理方法及研究不具代表性，并且没有取得较好的效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，具体为：取污水，加入氧化剂，紫外线照射处理。

所述污水为污水处理厂的二级出水。

优选地，所述氧化剂能被紫外线激活产生具有强氧化能力的自由基。

进一步优选地，所述氧化剂过二硫酸盐(PDS)为过二硫酸钾。

进一步优选地，所述氧化剂过一硫酸盐(PMS)为过一硫酸氢钾。

优选地，所述PDS作为氧化剂，加入量为使其在所述污水中的最终浓度为0.1～2mmol/L。

优选地，所述PMS作为氧化剂，加入量为使其在所述污水中的最终浓度为0.1～2mmol/L。

所述紫外线照射处理，使用装置为波长为254nm的紫外灯。

所述紫外线照射处理，UV强度为16～36μw/cm²。

所述照射处理，处理时间为1～60min。

优选地，上述所有操作均在无菌条件下进行。

有益效果

本发明采用一种新型的高级氧化工艺，利用UV激活产生硫酸根自由基(SO₄^·–)和羟基自由基(^·OH)，通过自由基的强氧化能力和UV对细菌的损伤来去除ARB和ARGs。该高级氧化工艺对环境友好、氧化能力强不会产生中间污染物，且对ARB和ARGs有较好的去除效果。

附图说明