[发明专利]传感器装置有效
申请号: | 201910660300.5 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110779641B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 外山祐一 | 申请(专利权)人: | 株式会社捷太格特 |
主分类号: | G01L3/10 | 分类号: | G01L3/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
本发明提供一种能够抑制保持架相对于磁传感器的装配误差的传感器装置。磁传感器(110)在组装了第一保持架(51)以及第二保持架(52)的状态下,被配置于第一聚磁部与第二聚磁部之间。在第二保持架(52)的基板凹部(95)设置有朝向第一保持架(51)侧延伸的定位突起(96)。在安装有磁传感器(110)的电路基板(111)设置有贯通孔。将定位突起(96)插通于贯通孔,由此磁传感器(110)预先已被一体地组装在第二保持架(52)。
相关申请的交叉引用
2018年7月27日申请的日本专利申请No.2018-141438的包括说明书、附图和摘要,在此通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及传感器装置。
背景技术
如日本特开2015-31600号公报所示,公知有检测施加于旋转轴的扭矩的扭矩传感器。旋转轴具有输入轴与输出轴。输入轴与输出轴通过扭杆而被连接。
扭矩传感器具有:被固定于输入轴的永久磁铁、被固定于输出轴并且被配置于永久磁铁形成的磁场内的磁轭、引导来自磁轭的磁通的一对聚磁环、以及基于被聚磁环引导的磁通生成检测信号的磁传感器。聚磁环分别被保持架保持。磁传感器被配置于一对保持架之间。
在日本特开2015-31600号公报所记载的扭矩传感器的情况下,磁传感器仅被配置于一对保持架之间,磁传感器没有相对于保持架被定位那样地被固定。因此,在组装扭矩传感器时,存在在保持架与磁传感器之间产生装配误差的问题。若产生磁传感器相对于保持架的装配误差,则存在对检测在聚磁环间通过的磁通的磁传感器的检测精度造成影响的担忧。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种能够抑制磁传感器相对于保持架的装配误差的传感器装置。
本发明的一个方面的传感器装置具备:永久磁铁,其被安装于第一轴,并且在周向被磁化;磁轭,其被固定于经由连结轴与上述第一轴连结了的第二轴,并且被配置于上述永久磁铁形成的磁场内;第一聚磁环,其被配置为包围上述磁轭,并且聚集上述磁轭的磁通;第一保持架,其保持上述第一聚磁环;第二聚磁环,其与上述第一聚磁环在上述第二轴的轴向被排列配置,被配置为包围上述磁轭,并且聚集上述磁轭的磁通;第二保持架,其与上述第一保持架在上述轴向被排列配置,并且保持上述第二聚磁环;磁传感器,其检测由上述永久磁铁、上述磁轭、上述第一聚磁环以及上述第二聚磁环形成的磁路的磁通,上述磁传感器在预先已被一体地组装于上述第二保持架的状态下,被配置于上述第一聚磁环与上述第二聚磁环之间。
根据上述构成,利用磁传感器预先已被一体地组装于第二保持架的状态,能够抑制磁传感器相对于第二保持架进行位置偏移。在该情况下,在组装传感器装置时,产生磁传感器相对于第二保持架的装配误差的情况被抑制。因此,产生磁传感器相对于第二保持架的装配误差的情况被抑制,相应地因磁传感器相对于各保持架的装配误差而对磁传感器的检测精度造成影响的情况被抑制。
本发明的其他方面,在上述方面的传感器装置中,优选上述磁传感器被安装于电路部,在上述电路部设置有在板厚方向贯通的贯通孔,在上述第二保持架设置有朝向上述第一保持架延伸的定位突起,被设置于上述第二保持架的定位突起插通在上述电路部的上述贯通孔。
根据上述构成,被设置于第二保持架的定位突起被插通在被设置于电路部的贯通孔,由此进行了电路部相对于第二保持架的定位。即定位突起被插通在贯通孔,由此电路部相对于第二保持架在与电路部的板厚方向正交的方向进行位置偏移的情况被限制。因此,能够抑制电路部的相对于第二保持架的在与电路部的板厚方向正交的方向的装配误差,所以能够抑制被安装于电路部的磁传感器的相对于第二保持架的装配误差。
本发明的另外的其它方面,在上述方面的传感器装置中,优选上述定位突起具有:朝向上述第一保持架延伸的轴部、以及被设置于上述轴部的顶端部并且与上述轴部相比进行了扩径的头部,上述头部与上述电路部的上述第一保持架侧的面抵接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社捷太格特,未经株式会社捷太格特许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910660300.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。