[发明专利]一种制备纳米结构块体材料的方法

权利要求书

1.一种制备纳米结构块体材料的方法，其特征在于，将初始材料单晶硅置于高压装置中进行反复高压压制，压制条件为：升压至18~20GPa后卸压至常压，然后重复所述升压、卸压2~10次。

2.根据权利要求1所述的制备纳米结构块体材料的方法，其特征在于，所述高压装置为六面顶压机，将初始材料装入组装件后置于六面顶压机中进行压制。

3.根据权利要求2所述的制备纳米结构块体材料的方法，其特征在于，所述高压装置为二级6-8型六面顶压机，所述组装件包括与六面顶压机的一级六面体压腔适配的二级八面体增压单元和与二级八面体增压单元的二级压腔适配的八面体传压介质，所述初始材料设置于八面体传压介质内。

4.根据权利要求3所述的制备纳米结构块体材料的方法，其特征在于，所述八面体传压介质由腔部和盖部拼合而成，所述腔部设置样品腔，所述盖部盖设于样品腔外，所述初始材料为与所述样品腔适配的块体材料。

5.根据权利要求4所述的制备纳米结构块体材料的方法，其特征在于，所述盖部下端设有与样品腔开口处适配的堵块。