[发明专利]用于多电平单元的感测技术

权利要求书

1.一种方法，其包括：

使用与节点耦合的电压源将感测组件的所述节点预充电到预充电电压；

在将所述节点充电至所述预充电电压之后，在读取操作期间将晶体管的栅极偏置到第一电压，所述晶体管与数字线及所述感测组件的所述节点耦合；

至少部分基于将所述晶体管的所述栅极偏置到所述第一电压感测所述节点上的电压是否处于所述预充电电压；

至少部分基于感测所述节点上的所述电压处于所述预充电电压将所述晶体管的所述栅极偏置到第二电压；

当所述晶体管的所述栅极被偏置到所述第二电压时，感测所述节点上的第三电压，所述第三电压不同于所述预充电电压；及

至少部分基于感测所述第三电压确定与所述数字线耦合的多电平存储器单元的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

通过将所述多电平存储器单元放电到所述数字线上将所述数字线偏置到第四电压；及

使用所述晶体管至少部分基于所述第四电压小于所述晶体管的所述栅极上的所述第二电压将电荷转移到所述节点。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

激活与所述晶体管的所述栅极耦合的第二晶体管，其中将所述晶体管的所述栅极偏置到所述第二电压是至少部分基于激活所述第二晶体管。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

在将所述晶体管的所述栅极偏置到所述第二电压之后取消激活所述第二晶体管，其中所述第二晶体管经配置以补偿与所述晶体管相关联的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

识别在所述读取操作期间何时感测到所述第三电压，其中确定所述多电平存储器单元的所述逻辑状态是至少部分基于在所述读取操作期间何时感测到所述第三电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中感测所述节点上的所述第三电压包括：

比较在所述节点上感测到的所述第三电压与固定参考电压，其中确定所述多电平存储器单元的所述逻辑状态是至少部分基于所述比较。

7.一种设备，其包括：

多电平存储器单元，其与数字线耦合且经配置以存储三种或三种以上状态；

感测组件，其经配置以通过在读取操作期间多次感测与所述数字线相关联的电压确定所述多电平存储器单元上存储的状态，并且在所述读取操作期间在多次感测中的每一次感测比较所感测的电压与固定参考电压；

晶体管，其与所述数字线及所述感测组件耦合且经配置以在所述多电平存储器单元的所述读取操作期间在所述数字线与所述感测组件之间转移电荷，其中所述晶体管的栅极在所述读取操作期间被偏置到多个栅极电压，且其中所述多电平存储器单元的逻辑状态是至少部分基于当第二电压由所述感测组件感测时所述晶体管的所述栅极上的第一电压；及

第二晶体管，其与所述晶体管的所述栅极耦合且经配置以基于与所述晶体管相关联的阈值电压将所述第一电压施加到所述晶体管的所述栅极。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多电平存储器单元经配置以通过放电到所述数字线上将所述数字线偏置到第三电压，其中所述晶体管经配置以至少部分基于所述第三电压小于所述第一电压将所述电荷转移到所述感测组件。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二晶体管经配置以至少部分基于所述第一电压小于所述第三电压将所述晶体管的所述栅极偏置到第四电压。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述感测组件经配置以至少部分基于所述晶体管将所述电荷转移到所述感测组件确定所述多电平存储器单元的所述逻辑状态。

11.根据权利要求7所述的设备，其中在所述读取操作期间多次感测所述感测组件的所述电压的数量比所述多电平存储器单元经配置以存储的逻辑状态的数量小1。