[发明专利]先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法

权利要求书

1.先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，其特征在于：所述先进工艺是指40nm以下工艺，低电压是指集成电路的工作电压低于晶体管阈值电压0.35V；所述集成电路的电路路径中包含至少两级电路单元；所述方法包括以下步骤：

S1：根据电路路径中各级电路单元在非阶跃输入信号下的延时标称值与本级电路单元在阶跃输入信号下的延时标称值及前一级电路单元在阶跃输入信号下的延时标称值之间的线性关系，求得各级电路单元的系数，再根据各级电路单元的系数得出电路路径延时随机变量；

S2：对电路路径中各级电路单元在阶跃输入信号下进行蒙特卡洛仿真，对仿真获得的统计样本集计算延时统计值的均值、方差和偏度；

S3：根据步骤S2得到的电路路径中各级电路单元在阶跃输入信号下的延时统计值的均值、方差和偏度计算电路路径在阶跃输入信号下的延时统计值的均值、方差和偏度；

S4：根据步骤S3得到的电路路径在阶跃输入信号下的延时统计值的均值、方差和偏度拟合电路路径延时的分布参数；

S5：计算阶跃输入信号下电路路径的延时统计值的概率密度函数、最大值和最小值。

2.根据权利要求1所述的先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，其特征在于：所述步骤S1具体包括以下步骤：

S11：根据式(1)所示的线性关系求得各级电路单元的系数：

式(1)中，t_di表示电路路径中的第i级电路单元非阶跃输入信号下的延时标称值，表示电路路径中的第i级电路单元阶跃输入信号下的延时标称值，表示电路路径中的第i-1级电路单元阶跃输入信号下的延时标称值，η_(i-1)表示第i-1级电路单元的系数，2≤i≤n，n表示电路路径中电路单元的总数；

S12：将η_(i-1)代入到式(2)中，求得电路路径延时随机变量t_path：

式(2)中，随机变量t_dr表示电路路径在阶跃输入信号下第r级电路单元的延时，随机变量表示阶跃输入信号下第n级电路单元的延时，η_j表示第j级电路单元的系数，随机变量表示阶跃输入信号下第j级电路单元的延时。

3.根据权利要求1所述的先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，其特征在于：所述步骤S2中，对电路路径中各级电路单元在阶跃输入信号下均进行m次蒙特卡洛仿真，对仿真获得的统计样本集通过式(3)计算得到各级电路单元在阶跃输入信号下的延时统计值的均值、方差和偏度：

式(3)中，E(x_r)表示第r级电路单元在阶跃输入信号下的延时统计值的均值，D(x_r)表示第r级电路单元在阶跃输入信号下的延时统计值的方差，S(x_r)表示第r级电路单元在阶跃输入信号下的延时统计值的偏度，1≤r≤n，n表示电路路径中电路单元的总数，随机变量x_r表示第r级电路单元在阶跃输入下的延时，X_r,k表示第r级电路单元在阶跃输入下的第k个延时样本数据，表示随机变量x_r的三阶原点矩，