[发明专利]一种AZO/二氧化钛/二氧化锡-氧化石墨烯薄膜及利用其制得的钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201910633482.7 申请日: 2019-07-15
公开(公告)号: CN110429179B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 刘荣;周航;谭付瑞;高岳跃;岳根田;吴天利 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 张丽
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 azo 氧化 石墨 薄膜 利用 钙钛矿 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种以TiO2/SnO2-GO薄膜作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)在带有AZO导电玻璃衬底的TiO2/SnO2-GO薄膜上沉积MAPbI3吸光层;

(2)在MAPbI3吸光层上沉积Spiro-MeOTAD空穴传输层,具体过程如下:将CH3NH3I和 PbI2溶入体积比为9:1的N, N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶剂中,CH3NH3I和 PbI2摩尔比为1:1,常温下溶解形成1mol/L浓度的溶液;以转数是4000~5000rpm的速度旋转5~8s后,滴加200~300ml反溶剂氯苯旋转10s,退火,即得;

(3)在Spiro-MeOTAD空穴传输层上蒸镀金电极或银电极;

所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备过程如下:

(a)以四氨基钛为钛源,去离子为水源,采用原子层沉积法制备TiO2缓冲层;所述四氨基钛为四(二甲氨基)钛,TiO2缓冲层的制备过程如下:

将四(二甲氨基)钛的温度加热到75℃,沉积的衬底加热到250℃,水源不需要加温,其中,在氮气气氛下,四(二甲氨基)钛反应时间为0.3~0.5s,等待时间为60s ;水源的反应时间为0.03s,等待时间为40s,循环沉积10~30次,所述衬底为AZO导电玻璃;

(b)称取SnO2 胶体溶液1~2ml,使用去离子水将SnO2胶体溶液稀释至原体积占稀释后液体总体积的3%~4%;

(c)称量氧化石墨烯粉末,溶入氯苯里,搅拌直至溶液均匀,得到浓度为1~3mg/ml的氧化石墨烯溶液,将200μL氧化石墨烯溶液加入到步骤(b)的溶液中,搅拌至均匀;

(d)在TiO2缓冲层上旋涂步骤(c)的溶液,旋涂时的转数是3000~4000rpm,旋涂时间为30s,旋涂结束后在150℃退火30min,即得,

所述钙钛矿太阳能电池包括从下至上依次结构:1)AZO导电玻璃衬底;2) TiO2/SnO2-GO电子传输层;3) MAPbI3吸光层;4) Spiro-MeOTAD空穴传输层;5) 金电极或银电极层;MAPbI3吸光层、Spiro-MeOTAD空穴传输层均采用旋涂的方法得到;金电极或银电极层采用蒸镀的方法得到;TiO2/SnO2-GO电子传输层厚度为40~80nm,电子传输层中TiO2缓冲层厚度为10~30nm,SnO2-GO厚度为30~50nm,MAPbI3吸光层厚度为300~400nm,Spiro-MeOTAD空穴传输层厚度为200~300nm,金电极或银电极层厚度为80~120nm。

2.权利要求1所述制备钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述步骤(2)退火是指先在75℃退火10min,后又100℃退火10min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学,未经河南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910633482.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top