[发明专利]一种AZO/二氧化钛/二氧化锡-氧化石墨烯薄膜及利用其制得的钙钛矿太阳能电池有效
申请号: | 201910633482.7 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110429179B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 刘荣;周航;谭付瑞;高岳跃;岳根田;吴天利 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 475001*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 azo 氧化 石墨 薄膜 利用 钙钛矿 太阳能电池 | ||
1.一种以TiO2/SnO2-GO薄膜作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在带有AZO导电玻璃衬底的TiO2/SnO2-GO薄膜上沉积MAPbI3吸光层;
(2)在MAPbI3吸光层上沉积Spiro-MeOTAD空穴传输层,具体过程如下:将CH3NH3I和 PbI2溶入体积比为9:1的N, N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶剂中,CH3NH3I和 PbI2摩尔比为1:1,常温下溶解形成1mol/L浓度的溶液;以转数是4000~5000rpm的速度旋转5~8s后,滴加200~300ml反溶剂氯苯旋转10s,退火,即得;
(3)在Spiro-MeOTAD空穴传输层上蒸镀金电极或银电极;
所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备过程如下:
(a)以四氨基钛为钛源,去离子为水源,采用原子层沉积法制备TiO2缓冲层;所述四氨基钛为四(二甲氨基)钛,TiO2缓冲层的制备过程如下:
将四(二甲氨基)钛的温度加热到75℃,沉积的衬底加热到250℃,水源不需要加温,其中,在氮气气氛下,四(二甲氨基)钛反应时间为0.3~0.5s,等待时间为60s ;水源的反应时间为0.03s,等待时间为40s,循环沉积10~30次,所述衬底为AZO导电玻璃;
(b)称取SnO2 胶体溶液1~2ml,使用去离子水将SnO2胶体溶液稀释至原体积占稀释后液体总体积的3%~4%;
(c)称量氧化石墨烯粉末,溶入氯苯里,搅拌直至溶液均匀,得到浓度为1~3mg/ml的氧化石墨烯溶液,将200μL氧化石墨烯溶液加入到步骤(b)的溶液中,搅拌至均匀;
(d)在TiO2缓冲层上旋涂步骤(c)的溶液,旋涂时的转数是3000~4000rpm,旋涂时间为30s,旋涂结束后在150℃退火30min,即得,
所述钙钛矿太阳能电池包括从下至上依次结构:1)AZO导电玻璃衬底;2) TiO2/SnO2-GO电子传输层;3) MAPbI3吸光层;4) Spiro-MeOTAD空穴传输层;5) 金电极或银电极层;MAPbI3吸光层、Spiro-MeOTAD空穴传输层均采用旋涂的方法得到;金电极或银电极层采用蒸镀的方法得到;TiO2/SnO2-GO电子传输层厚度为40~80nm,电子传输层中TiO2缓冲层厚度为10~30nm,SnO2-GO厚度为30~50nm,MAPbI3吸光层厚度为300~400nm,Spiro-MeOTAD空穴传输层厚度为200~300nm,金电极或银电极层厚度为80~120nm。
2.权利要求1所述制备钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,所述步骤(2)退火是指先在75℃退火10min,后又100℃退火10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择