[发明专利]一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构及调整方法

说明书

本发明公开了一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构，它包括开关K1，开关K1与保护电阻RC串联后接在运放EA的正向端；EA的负相端接入基准电压VREF；EA的输出端一接电容CC后反馈到运放EA的正向端，构成了微分正反馈电路；EA的输出端二接比较器COMP的第一输入端；比较器COMP的第二输入端接基准电压VREF；比较器COMP的输出端接同相器输入端；同相器输出端与开关K1控制端连接；同相器输出端与输出接口DRV之间串联有延迟电路Dely；解决了现有低端电流采样降压型LED驱动芯片由于leb时间的存在，随着输入电压的增加LED电流会随着输入电压的增加而下降，线性调整率会比较差等技术问题。

技术领域

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构及调整方法。

背景技术

现有的低端电流采样降压型LED驱动芯片应用电路（见图1），VIN为输入的信号，最上方的二极管为保护电路当电压值大于预定值时，电流通过二极管分流，避免LED因瞬间高压而损坏。后面的电阻起到限流的作用，左下两个电容的作用是滤波，将输入的电信号转为平稳的电信号。如图所示当输入电压出现剧烈的增长时，控制器导通电压，DRV输出高电平加在N型管的栅极，三极管导通进行限流；CS从电阻上抽样得到信号。控制器、MOS管和电阻构成了恒流源。

控制器的电路实现见图2，用开关K1模拟MOS管的导通与关断，采样端CS输入的信号经过保护电阻RC接在运放EA的正向端，EA的负相端接入基准电压VREF，EA的输出一方面经过电容CC，反馈到运放EA的正向端，构成了微分正反馈电路，提高电平的反转速度，防止了之后电压的突变，并将波形转为矩形波。另一方面输入比较器COMP，EA的输出电压与基准电压作相比较，输出经过同向器形成DRV信号。

这样的降压驱动时序图见图3，当drv电压上升时由于leb的存在，k1的信号的上升沿到来出现延迟，cs信号也出现延迟所得的抽样时间短，抽样的点位相较于基准电压较高。

由于leb（leading edge blanking边沿遮没）时间的存在，在开关开启到由CS端口对信号开始对进行采样之间有时间差。当开关开启和关断时，由于寄生原件的存在，所产生的的噪声会叠加到cs的抽样信号上，从而导致信号不准确，平均后的信号会比实际值高，流过LED的电流比设定值小。而信号占空比越小，leb时间的影响会越明显：在输出固定的情况下，随着输入电压的增加，LED电流会随着输入电压的增加而下降，线性调整率会比较差。

发明内容：

本发明要解决的技术问题是：提供一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构及调整方法，以解决现有技术的低端电流采样降压型LED驱动芯片由于leb时间的存在，会导致平均后的vfb信号会比实际值高，从而导致LED电流比设定值小。占空比越小，leb时间的影响会越明显：在输出固定的情况下，随着输入电压的增加，LED电流会随着输入电压的增加而下降，线性调整率会比较差等技术问题。

本发明技术方案：

一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构，它包括：开关K1，开关K1与保护电阻RC串联后接在运放EA的正向端；EA的负相端接入基准电压VREF；EA的输出端一接电容CC后反馈到运放EA的正向端，构成了微分正反馈电路；EA的输出端二接比较器COMP的第一输入端；比较器COMP的第二输入端接基准电压VREF；比较器COMP的输出端接同相器输入端；同相器输出端与开关K1控制端连接；同相器输出端与输出接口DRV之间串联有延迟电路Dely。

所述延迟电路Dely为输出延迟电路。