[发明专利]一种基于半模基片集成脊波导的混合环

权利要求书

1.一种半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：该混合环包括微带结构（20）和半模基片集成脊波导结构（8）；所述微带结构（20）的第二端口（2）与第三端口（3）在中上环(6)、中下环(7)右侧位置分别与半模基片集成脊波导结构（8）的两个端口相连接，微带结构（20）与半模基片集成脊波导结构（8）相连接的连接段（18）是一个宽度渐变的金属条带，连接段（18）与半模基片集成脊波导结构中的金属条带（19）的宽度不一致；微带结构（20）的中左环(5)、中上环(6)、中下环(7)的宽度均为0.34mm，微带结构（20）的中间金属层（11）连接第一端口（1）、第二端口（2）、第三端口（3）和第四端口（4）；半模基片集成脊波导结构（8）的第一介质层（10）的上表面设有上金属层（9），第一介质层（10）与上金属层（9）的宽度一致且长度一致，都小于8mm；第一介质层（10）的上金属层（9）和中间金属层（11）通过两排金属化盲孔（14）连接，第一介质层（10）的上金属层（9）、中间金属层（11）和第二介质层（12）的下金属层地（13）通过两排金属化通孔（15）连接。

2.根据权利要求1所述的半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：所述的第一介质层（10）、第二介质层（12）为介电常数为2.65的介质基板，厚度为0.25mm-0.5mm，第一介质层（10）的长度和宽度分别为12mm-16mm、7mm-10mm，第二介质层（12）的长度和宽度分别为30mm-40m、25mm-30mm。

3.根据权利要求1所述的半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：所述的上金属层（9）与中间金属层（11）通过金属化盲孔（14）连接，金属化盲孔贯穿第一介质层（10）连接半模基片集成脊波导结构中的金属条带（19），两排金属化盲孔之间的距离为2.2mm-2.4mm，金属化盲孔的直径为0.25mm-0.35mm，相邻两金属化盲孔之间的距离为0.5mm-0.7mm。

4.根据权利要求3所述的半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：金属化通孔（15）贯穿上金属层（9）、第一介质层（10）、中间金属层（11）、第二介质层（12）和下金属层地（13），金属化通孔相邻两个通孔之间的间距为6mm-7mm，金属化通孔的直径为0.4mm-0.5mm。

5.根据权利要求3所述的半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：贯穿第二介质层（12）的两个下层金属化盲孔（16）连接中间金属层（11）与下金属层地（13）。

6.根据权利要求1所述的半模基片集成脊波导的混合环，其特征在于：所述的第一端口（1）、第二端口（2）、第三端口（3）、第四端口（4）是四个微带输入/出端口，两两相邻之间的距离均大于17mm，长度大于9mm，宽度为0.62mm-0.64mm，且四个端口的特性阻抗均为50欧姆。