[发明专利]壳体组件及其制备方法和电子设备

权利要求书

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：

透明基底，具有装饰表面，所述装饰表面上设有间隔的第一粗糙区域和第二粗糙区域；及

反射单元，设置在所述装饰表面上，并覆盖至少部分所述第一粗糙区域。

2.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第二粗糙区域露出于所述反射单元。

3.根据权利要求2所述的壳体组件，其特征在于，所述第一粗糙区域为多个，多个所述第一粗糙区域间隔设置，每个所述第一粗糙区域均覆盖有所述反射单元。

4.根据权利要求3所述的壳体组件，其特征在于，所述反射单元覆盖相邻所述第一粗糙区域之间的间隙。

5.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述反射单元包括间隔设置在所述装饰表面上的第一反射部和所述第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部分别完全覆盖所述第一粗糙区域和所述第二粗糙区域。

6.根据权利要求5所述的壳体组件，其特征在于，所述第一粗糙区域为多个，多个所述第一粗糙区域间隔设置，所述第一反射部覆盖多个所述第一粗糙区域。

7.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一粗糙区域的表面粗糙度为0.1μm～0.2μm；

及/或，所述第二粗糙区域的表面粗糙度为0.1μm～0.2μm；

及/或，所述第一粗糙区域的雾度为20％～40％

及/或，所述第二粗糙区域的雾度为20％～40％。

8.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述反射单元包括依次层叠设置在所述装饰表面上的第一二氧化硅层、第一五氧化二铌层、第二二氧化硅层、单晶硅层、第三二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第四二氧化硅层；

或者，所述反射单元包括依次层叠设置在所述装饰表面上的硅层、第一钛层、铜层及第二钛层。

9.根据权利要求8所述的壳体组件，其特征在于，所述第一二氧化硅层的厚度为8nm～12nm，所述第一五氧化二铌层的厚度为68nm～72nm，所述第二二氧化硅层的厚度为88nm～92nm，所述单晶硅层的厚度为83nm～87nm，所述第三二氧化硅层的厚度为42nm～46nm，所述第二五氧化二铌层的厚度为50nm～54nm，所述第四二氧化硅层的厚度为8nm～12nm；

或者，所述硅层的厚度为3nm～7nm，所述第一钛层的厚度为6nm～10nm，所述铜层的厚度为18nm～22nm，所述第二钛层的厚度为48nm～52nm。

10.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体组件还包括膜层单元，所述膜层单元设置在所述透明基底靠近所述反射单元的一侧，且覆盖所述反射单元。

11.一种壳体组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供透明基底，所述透明基底具有装饰表面；

在所述装饰表面上形成间隔的第一粗糙区域和第二粗糙区域；及

在所述装饰表面上形成反射单元，且所述反射单元覆盖至少部分所述第一粗糙区域，得到壳体组件。

12.根据权利要求11所述的壳体组件的制备方法，其特征在于，所述在所述装饰表面上形成间隔的第一粗糙区域和第二粗糙区域的步骤包括：

在所述装饰表面上预设油墨区域、第一待装饰区域、第二待装饰区域，所述第一待装饰区域和所述第二待装饰区域间隔设置，所述油墨区域围绕所述第一待装饰区域且围绕所述第二待装饰区域；

在所述油墨区域形成第一油墨层；及

对所述装饰表面进行蒙砂处理，然后去除所述第一油墨层，以使所述第一待装饰区域和所述第二待装饰区域均粗糙化，以分别形成所述第一粗糙区域和所述第二粗糙区域。