[发明专利]集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法

说明书

本发明公开了集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法。一种集成电路设计方法包含：(a)接收至少一第一筛选参数；(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。

技术领域

本发明涉及IC设计数据库产生方法以及IC设计方法，特别涉及可提供单元延迟量信息的IC设计数据库产生方法以及IC设计方法。

背景技术

现有的IC(集成电路，Integrated Circuit)设计流程其整个流程需耗费相当长的时间。然而，IC中的单元(cell)对信号的延迟量可能会在不同情况下具有不同的值，但现有的IC设计流程所使用的数据库仅记录各单元于特定应用条件下的延迟信息，其数据量有限，未必能从设计流程所使用的数据库中得到想要的参数变化结果。因此，必须等IC制造完成才可对其进行测试来判断单元在一电压范围内的延迟量是否在所需范围。若最后生产出来的IC的单元不符合要求，则必须再重新设计IC，也就是必须再重新执行一次所有的IC设计流程，对相关工作人员是相当大的负担。

发明内容

因此，本发明一目的为提供一种IC设计数据库产生方法，此数据库包含单元的延迟量信息。

本发明另一目的为提供一种IC设计数据库产生方法，此数据库包含单元的延迟量信息，让用户可根据单元的延迟量信息进行IC设计。

本发明一实施例揭露了一种IC设计数据库产生方法，包含：接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量。

本发明另一实施例揭露了一种IC设计方法，包含：(a)接收至少一第一筛选参数；(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。

根据前述实施例，本发明可产生包含在一运行参数范围内的单元延迟量信息的延迟量数据库，以及根据延迟量数据库来执行的IC设计方法，因此可改善现有技术中一数据库仅包含对应单一运行参数的单元延迟量信息的问题，以及必须要等到IC制造完才可测得在一运行参数范围内的单元延迟量变化的问题。

附图说明

图1示出了根据本发明一实施例的IC设计流程的示意图。

图2示出了根据本发明一实施例的IC设计数据库产生方法的流程图。

图3示出了图2中所示的运行参数区间其中一例的示意图。

图4示出了根据本发明一实施例的IC设计方法的流程图。

图5示出了图4中步骤405其中一例的示意图。

图6示出了根据第二筛选参数来筛选单元的一例子的示意图。

图7示出了显示共同单元的一例子的示意图。

图8示出了可执行本发明所提供的IC设计数据库产生方法以及IC设计方法的电子装置的方框图。

具体实施方式

以下将以多个实施例来说明本案的技术精神。还请注意，以下所述的各个实施例可通过硬件实施(例如电路或装置)，也可通过固件实施(例如处理器中安装至少一程序)。