[发明专利]集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法

权利要求书

1.一种集成电路设计数据库产生方法，包含：

接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及

根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；

其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量。

2.根据权利要求1所述的集成电路设计数据库产生方法，其中，该运行参数包含以下参数中至少一个：一负载参数、一输入回转率、一运行频率、一温度以及一电压。

3.根据权利要求2所述的集成电路设计数据库产生方法，其中，该工艺参数包含该单元在相对应晶圆上的位置信息。

4.一种集成电路设计方法，包含：

(a)接收至少一第一筛选参数；

(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及

(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。

5.根据权利要求4所述的集成电路设计方法，其中，该第一筛选参数包含以下参数至少其一：一工艺参数，一运行参数范围，该单元在该第一筛选参数范围内的该多个延迟量的一变化比例，以及该单元在该第一筛选参数范围内的该多个延迟量的一变化差异。

6.根据权利要求4所述的集成电路设计方法，其中，该步骤(c)显示该单元在该第一筛选参数范围内的该多个延迟量的多个变化比例或多个变化差异。

7.根据权利要求4所述的集成电路设计方法，其中，该第一筛选参数包含一工艺参数以及一运行参数范围，其中该步骤(c)包含：

显示在不同的工艺参数以及运行参数范围的组合下，该多个延迟量均落于一预定范围的该单元。

8.根据权利要求7所述的集成电路设计方法，其中，该运行参数范围为一运行电压范围或一运行温度范围。

9.根据权利要求4所述的集成电路设计方法，其中，该步骤(c)还包含：

以一第二筛选参数来筛选该单元延迟量信息中所涵盖的所有该单元；以及

根据筛选结果显示该单元。

10.根据权利要求9所述的集成电路设计方法，其中，该第二筛选参数包含该延迟量信息中所涵盖的所有该单元的平均延迟量加上N乘以所有该单元的延迟量的标准偏差，其中N为整数或非整数。