[发明专利]一种基于VO2有效

专利信息
申请号: 201910589920.4 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN110441842B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 韦中超;毛敏 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G02B5/30;G02B1/00
代理公司: 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 代理人: 刘新年
地址: 510006 广东省广州市番禺区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 vo base sub
【说明书】:

发明公开一种基于VO2及石墨烯混合超材料的多功能器件,涉及光电技术领域,包括若干个单元结构,单元结构包括二氧化钒层、石墨烯层、介电层和金属反射层,所述金属反射层的上端设置有所述介电层,介电层的上端设置有石墨烯层,在石墨烯层设置有一个凹槽,所述凹槽深入至介电层,在所述凹槽底部上端设置有二氧化钒层,所述二氧化钒层与所述石墨烯层之间留置介电层区域;通过调节所述石墨烯层的费米能级进行电磁波偏振转换,以将所述多功能器件在完美吸收器与偏振转换器之间功能转变;可以在高温环境下工作,并且随着温度的升高,吸收器对电磁波的吸收效果不会减弱,反而会得到增强;偏振转换器展示了超薄、宽频带和高效率等优点。

技术领域

本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种基于VO2及石墨烯混合超材料的多功能器件。

背景技术

中红外器件由于其独特的中红外区域特性而受到越来越多的关注,该区域与太赫兹范围有相似之处。目前,完美吸收器和偏振转换器已成为中红外波段的研究热点。宽带吸收器和偏振转换器作为光学器件的两个重要分支,在成像器件、热发射器、传感器、调制器和伪装器件等方面有着重要的应用。

然而,传统的宽带完美吸收器和偏振转换器是通过超平面薄膜堆叠实现的,该超平面薄膜由金属/介电薄膜的交替层组成,其总厚度远大于工作波长。这些庞大的设计显然违反了缩小光子和光学器件的趋势,不利于进一步的科学研究和工业集成。更重要的是,传统的微纳光子器件只能实现单一功能;

例如,Xu和Wu等人报道了使用多层石墨烯带制作的可调谐的超宽带太赫兹吸收器。Guo 等人研究的超宽带红外超表面吸收器。但是,上述这些完美吸收器在很大程度上依赖于复杂的石墨烯结构,这导致器件制造比较困难。同样,使用金属纳米结构来控制电磁波的偏振态,例如金属纳米颗粒,金属纳米槽等。这些提出的结构只能通过改变结构的几何参数来调整,使得结构的应用受到限制,并且需要对光谱响应进行主动控制。

发明内容

本发明针对背景技术的问题提供一种基于VO2及石墨烯混合超材料的多功能器件,实现完美吸收和偏振转换的功能。

为了实现上述目的,本发明提出一种基于VO2及石墨烯混合超材料的多功能器件,包括若干个单元结构,所述单元结构包括:二氧化钒层、石墨烯层、介电层和金属反射层,其中,所述金属反射层的上端设置有所述介电层,所述介电层的上端设置有石墨烯层,在所述石墨烯层设置有一个凹槽,所述凹槽深入至介电层,在所述凹槽底部上端设置有二氧化钒层,所述二氧化钒层与所述石墨烯层之间留置介电层区域;

通过调节所述石墨烯层的费米能级进行电磁波偏振转换,以将所述多功能器件在完美吸收器与偏振转换器之间功能转变。

优选地,所述石墨烯层设置有一个凹槽,具体为:在所述石墨烯层的中央位置设置一个矩形凹槽。

优选地,所述凹槽底部上端设置有二氧化钒层,具体为:在所述凹槽底部中心位置的上端设置有圆形二氧化钒层。

优选地,所述若干个单元结构周期性排列。

优选地,所述若干个单元结构周期性排列,具体为:若干个单元结构的边长相等。

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