[发明专利]一种用于激光器的三角形光栅的制备方法

权利要求书

1.一种用于激光器的三角形光栅的制备方法，所述方法包括以下步骤：

a)使用溴腐蚀液对覆盖有具有光栅图案的SiO₂层的第二外延层进行腐蚀，使所述第二外延层形成深腐蚀三角形光栅轮廓；

b)除去所述SiO₂层；和

c)在形成有深腐蚀三角形光栅轮廓的第二外延层上进一步形成第三外延层，

其中，所述第二外延层层叠在第一外延层上，所述第一、第二和第三外延层分别由III-V族半导体材料形成，且

其中，所述溴腐蚀液为含有0.15～0.20mol/L HNO₃、0.05～0.15mol/L HBr和0.001～0.003mol/L Br₂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族半导体材料选自InP、InGaAs或InGaAsP。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一外延层由InP形成；所述第二外延层由InGaAsP形成；和所述第三外延层由InP形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤a)中所述光栅图案具有的占空比为60％～90％。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤a)中所述光栅图案具有的占空比为75％～85％。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述光栅的周期值Λ为180nm～260nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述SiO₂的厚度为30nm～100nm。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述SiO₂的厚度为45nm～55nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤a)的腐蚀时间为60s～120s。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述具有深腐蚀三角形光栅轮廓的第二外延层由以下步骤制备：

1)在所述第二外延层的表面生长SiO₂层作为掩蔽层；

2)在所述SiO₂层上涂光刻胶；

3)通过光栅版图形，对所述光刻胶进行电子束曝光；

4)除去所述步骤3)中的残留底胶；

5)对所述SiO₂层进行刻蚀；

6)除去全部所述光刻胶。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述步骤2)中光刻胶的厚度为80nm～300nm。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述步骤2)中光刻胶的厚度为150nm～250nm。