[发明专利]用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备有效

专利信息
申请号: 201910578340.5 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110658694B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 陈昱至;郑博中;陈立锐;简上傑;余昇刚;颜炜峻 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 紫外光 辐射源 设备 收集 反射
【权利要求书】:

1.一种用于一极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜,其特征在于,包含:

一EUV收集器反射镜主体,其上设置一反射层作为一反射表面;

一加热器,附接到或嵌入该EUV收集器反射镜主体,该加热器配置以加热与熔化沉积在该EUV收集器反射镜主体的该反射表面上的一金属;

一排泄结构,用于将熔化的该金属从该EUV收集器反射镜主体的该反射表面排泄到该EUV收集器反射镜主体的一背侧,该排泄结构包括在该反射表面处的一开口,该排泄结构进一步包括在该开口的一底部处提供具有一EUV反射表面的一支撑件,该支撑件具有一曲率,使得在具有该EUV反射表面的该支撑件处反射的EUV辐射以及在该EUV收集器反射镜主体上的该反射表面处反射的EUV辐射具有一相同的焦点;以及

一排泄孔,耦合到该排泄结构,其中该排泄结构与该排泄孔配置以使熔化的该金属通过重力流过该排泄结构到设置在该EUV收集器反射镜的最低位置处的该排泄孔。

2.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该排泄结构包括连接该开口与该排泄孔的一管道。

3.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该开口是穿过该EUV收集器反射镜主体的一狭缝。

4.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该开口包括以一同心方式排列的多个开口,并且该多个开口是狭缝或沟槽。

5.根据权利要求4所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,以一同心方式排列的该多个开口通过一主干管道连接,该主干管道在该EUV收集器反射镜主体的该背侧上或在该EUV收集器反射镜主体中设置。

6.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该开口包括一主干管道以及从该主干管道分支的多个开口,并且该多个开口是狭缝或沟槽。

7.根据权利要求6所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该主干管道在该EUV收集器反射镜主体的该背侧上设置。

8.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,该开口的一宽度是在从0.5mm至5mm的范围中。

9.根据权利要求1所述的EUV收集器反射镜,其特征在于,进一步包括用于控制该EUV收集器反射镜主体的加热的一加热器控制器。

10.一种极紫外光(EUV)辐射源设备,其特征在于,包含:

一EUV收集器反射镜;

一靶液滴产生器,用于产生一锡(Sn)液滴;

一可旋转碎屑收集机构;以及

一腔室,至少包围该EUV收集器反射镜及该可旋转碎屑收集机构,其中:

该EUV收集器反射镜包括:

一EUV收集器反射镜主体,其上设置一反射层作为一反射表面;

一加热器,附接到或嵌入该EUV收集器反射镜主体,该加热器配置以加热与熔化沉积在该EUV收集器反射镜主体的该反射表面上的一金属;

一排泄结构,用于将熔化的该金属从该EUV收集器反射镜主体的该反射表面排泄到该EUV收集器反射镜主体的一背侧,该排泄结构包括在该反射表面处的一开口,该排泄结构包括在该开口的一底部处的一EUV反射表面,并且该EUV反射表面具有一曲率,使得在该EUV反射表面处反射的EUV辐射以及在该EUV收集器反射镜主体上的该反射表面处反射的EUV辐射具有一相同的焦点;以及

一排泄孔,耦合到该排泄结构,其中该排泄结构与该排泄孔配置以使熔化的该金属通过重力流过该排泄结构到设置在该EUV收集器反射镜的最低位置处的该排泄孔。

11.根据权利要求10所述的EUV辐射源设备,其特征在于:

该排泄结构包括连接该开口与该排泄孔的一管道。

12.根据权利要求10所述的EUV辐射源设备,其特征在于,该开口包括以一同心方式排列的多个开口。

13.一种极紫外光(EUV)辐射源设备,其特征在于,包含:

一EUV收集器反射镜;

一靶液滴产生器,用于产生一锡(Sn)液滴;

一可旋转碎屑收集机构;

一腔室,至少包围该EUV收集器反射镜及该可旋转碎屑收集机构;

一金属再用系统,其中:

该EUV收集器反射镜包括:

一EUV收集器反射镜主体,其上设置一反射层作为一反射表面;

一加热器,附接到或嵌入该EUV收集器反射镜主体,该加热器配置以加热与熔化沉积在该EUV收集器反射镜主体的该反射表面上的一金属;

一排泄结构,用于将熔化的该金属从该EUV收集器反射镜主体的该反射表面排泄到该EUV收集器反射镜主体的一背侧;以及

一排泄孔,耦合到该排泄结构,其中该排泄结构与该排泄孔配置以使熔化的该金属通过重力流过该排泄结构到设置在该EUV收集器反射镜的最低位置处的该排泄孔;以及

一加热管,用于将从该排泄孔排泄的熔化的该金属导引至该金属再用系统并且进一步提供到该靶液滴产生器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910578340.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top