[发明专利]一种新型超宽带运算放大器

权利要求书

1.一种新型超宽带运算放大器，其特征在于，包括：差分信号输出端、推挽反相放大器和自举增益放大器；

所述推挽反相放大器的输入端与所述差分信号输出端连接；所述自举增益放大器的输入端与所述推挽反相放大器的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的新型超宽带运算放大器，其特征在于，所述推挽反相放大器包括第一共模反馈电路VFB1、第一电源端VDD1、PMOS管PM0、PMOS管PM1、PMOS管PM2、NMOS管NM0和NMOS管NM1；

所述PMOS管PM1的栅极与所述NMOS管NM0的栅极连接，所述PMOS管PM1的栅极和所述NMOS管NM0的栅极均连接所述差分信号输出端，所述PMOS管PM1的漏极与所述NMOS管NM0的漏极连接交点作为推挽反相放大器的第一差分输出端VOUT_1，所述NMOS管NM0的源极与所述NMOS管NM1的源极均接地GND，所述PMOS管PM1的源极与所述PMOS管PM2的源极连接，所述PMOS管PM1的源极与所述PMOS管PM2的源极均连接所述PMOS管PM0的漏极，所述PMOS管PM0的源极连接所述第一电源端VDD，所述PMOS管PM0的栅极与所述第一共模反馈电路VFB1的输出端连接；所述PMOS管PM2的漏极与所述NMOS管NM1的漏极连接，并且所述PMOS管PM2的漏极与所述NMOS管NM1的漏极连接交点作为所述推挽反相放大器的第二差分输出端VOUT_2，所述PMOS管PM2的栅极与所述NMOS管NM1的栅极连接，并且所述PMOS管PM2的栅极与所述NMOS管NM1的栅极均连接所述差分信号输出端；所述第一共模反馈电路VFB1的第一差分输入端与所述第一差分输出端VOUT_1连接，所述第一共模反馈电路VFB1的第二差分输入端与所述第二差分输出端VOUT_2连接。

3.根据权利要求1所述的新型超宽带运算放大器，其特征在于，所述自举增益放大器包括：第二电源端VDD2、第二共模反馈电路VFB2、偏置电压输出端VB、辅助运放INVP、辅助运放INVN、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5；

所述PMOS管PM7的栅极与所述第二共模反馈电路VFB2的输出端连接，所述PMOS管PM7的源极与所述第二电源端VDD2连接，所述PMOS管PM7的漏极分别连接所述PMOS管PM5的源极和所述PMOS管PM6的源极；

所述PMOS管PM5的源极与所述PMOS管PM6的源极连接，所述PMOS管PM5的栅极与所述偏置电压输出端VB连接，所述PMOS管PM5的漏极与所述PMOS管PM3的源极连接，所述PMOS管PM5的漏极还与所述辅助运放INVP的输入端INVP_IN+连接；所述PMOS管PM3的栅极与所述辅助运放INVP的输出端INVP_OUT+连接，所述PMOS管PM3的漏极与所述NMOS管NM4的漏极连接，并且所述PMOS管PM3的漏极与所述NMOS管NM4的漏极连接交点作为所述自举增益放大器的第一差分输出端VOUT1；所述NMOS管NM4的栅极与所述辅助运放INVN的输出端INVN_OUT+连接，所述NMOS管NM4的源极与所述NMOS管NM2的漏极连接，所述NMOS管NM4的源极还与所述辅助运放INVN的输入端INVN_IN连接；所述NMOS管NM2的栅极与所述推挽反相放大电器的第一差分输出端VOUT_1连接，所述NMOS管NM2的源极与所述NMOS管NM3的源极均接地GND；

所述PMOS管PM6的栅极与所述偏置电压输出端VB连接，所述PMOS管PM6的漏极与所述PMOS管PM4的源极连接，所述PMOS管PM6的漏极与所述辅助运放INVP的输入端INVP_IN-连接，所述PMOS管PM4的栅极与所述辅助运放的输出端INVP的输出端INVP_OUT-连接，所述PMOS管PM4的漏极与所述NMOS管NM5的漏极连接，所述PMOS管PM4的漏极与所述NMOS管NM5的漏极连接交点作为所述自举增益放大器的第二差分输出端VOUT2；所述NMOS管NM5的栅极与所述辅助运放INVN的输出端INVN_OUT-连接，所述NMOS管NM5的源极与所述NMOS管NM3的漏极连接，所述NMOS管NM5的源极与所述辅助运放INVN的输入端INVN_IN-连接；所述NMOS管NM3的栅极与所述推挽反相放大器的第二差分输出端VOUT_2连接；

所述第二共模反馈电路VFB2的第一差分输入端与所述自举增益放大器的第一差分输出端VOUT1连接，所述第二共模反馈电路VFB2的第二差分输入端与所述自举增益放大器的第二差分输出端VOUT2连接。