[发明专利]一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器

权利要求书

1.一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，包括宽带光源(1)、光耦合器(2)、起偏器(3)、检偏器(4)、传感头(7)以及光电探测器(8)，光耦合器的第一至第四端口(21)(22)(23)(24)分别与宽带光源(1)、光电探测器(8)、起偏器(3)和检偏器(4)相连接；所述起偏器(3)和所述检偏器(4)再分别与传感头(7)连接；所述传感头(7)为三明治结构，包括由位于上层的环形电极(71)、位于中层的光学材料薄层(72)和位于下层的平板电极(73)组成的，所述环形电极(71)用于连接参考电极，平板电极(73)用于连接脑电信号电极；所述起偏器(3)产生的偏振光经过第一自聚焦透镜(5)入射到传感头(7)中，在传感头(7)中依次通过环形电极(71)和光学材料薄层(72)，被平板电极(73)反射后，最后经第二自聚焦透镜(6)出射；

当脑电信号加载在传感头(7)上时，传感头中的光学材料薄层(72)与脑电信号产生相互作用，使入射光偏振态发生变化，进而使反射光强发生变化，光电探测器(8)测量反射光信号的光强变化，从而获得脑电信号。

2.如权利要求1所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述平板电极(73)是一种柔性金属材料薄层。

3.如权利要求2所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述柔性金属材料薄层可选柔韧度高和反射率高的金属。

4.如权利要求3所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述柔性金属材料薄层选择金或银其中之一的金属材料。

5.如权利要求1所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述环形电极(71)是一种金属微环。

6.如权利要求5所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述环形电极(71)的材料可选任意导电性能良好的金属。

7.如权利要求1所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述光学材料薄层(72)使用电活性材料。

8.如权利要求7所述的一种三明治结构的反射式光学脑电信号传感器，其特征在于，所述电活性材料至少可选螺旋形变铁电液晶或水凝胶材料。